DataSheet26.com


SSP4N60 даташит

Функция этой детали – «(ssp4n55 / Ssp4n60) N-channel Power Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
SSP4N60 Samsung Electronics
Samsung Electronics
  (SSP4N55 / SSP4N60) N-Channel Power MOSFET

pdf
SSP4N60AS Samsung Electronics
Samsung Electronics
  Advanced Power MOFET

pdf
SSP4N60AS Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
  Advanced Power MOFET

Advanced Power MOSFET FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 µ A (Max.) @ VDS = 600V Lower RDS(ON) : 2.037 Ω (Typ.) SSP4N60AS BVDSS = 600 V RDS(on) = 2.5 Ω ID = 4 A TO-220 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol VDSS ID IDM VGS EAS IAR EAR dv/dt PD TJ , TSTG TL Characteristic Drain-to-Source Voltage Continuous Drain Current (TC=25 C) Continuous Drain Current (TC
pdf
SSP4N60B Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
  600V N-Channel MOSFET

SSP4N60B/SSS4N60B SSP4N60B/SSS4N60B 600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies. Features • • • • • •
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты