DataSheet26.com


K3114 даташит

Функция этой детали – «Mosfet ( Transistor ) - 2sk3114».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K3114 NEC
NEC
  MOSFET ( Transistor ) - 2SK3114

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK3114 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE ORDERING INFORMATION PART NUMBER 2SK3114 PACKAGE Isolated TO-220 DESCRIPTION The 2SK3114 is N-channel DMOS FET device that features a low gate charge and excellent switching characteristics, and designed for high voltage applications such as switching power supply, AC adapter. FEATURES • Low on-state resistance: RDS(on) = 2.2 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.0 A) • Low gate charge: QG = 15 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "3114", "K3"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3114 Motorola Semiconductors
Motorola Semiconductors

Amplifier Transistor

pdf
2N3114 Central
Central

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued) TYPE NO. DESCRIPTION VCBO (V) VCEO (V) *VCER VEBO (V) ICBO @ VCB (µA) (V) *ICEO **ICES ***ICEV ****ICER MIN 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 4.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 7.0 7.0 5.0 4.0 7.0 7.0 7.0 7.0 5.0 4.0 4.0 5.0 4.0 4.0 4.0 5.0 5.0 5.0
pdf
2N3114 Texas
Texas

NPN Transistor

OEM: Texas Instruments 2N3114 Data Sheet www.semicon-data.com OEM: Texas Instruments 2N3114 Data Sheet www.semicon-data.com OEM: Texas Instruments 2N3114 Data Sheet www.semicon-data.com OEM: Texas Instruments 2N3114 Data Sheet www.semicon-data.com
pdf
2N3114 STMicroelectronics
STMicroelectronics

High Voltage Amplifier

pdf
2N3114CSM Seme LAB
Seme LAB

Bipolar NPN Device

2N3114CSM Dimensions in mm (inches). 0.51 ± 0.10 (0.02 ± 0.004) 0.31 rad. (0.012) 2.54 ± 0.13 (0.10 ± 0.005) 3 2 1 1.91 ± 0.10 (0.075 ± 0.004) 3.05 ± 0.13 (0.12 ± 0.005) A= 0.76 ± 0.15 (0.03 ± 0.006) Bipolar NPN Device in a Hermetically seal
pdf
2N3114CSM TT
TT

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N3114CSM • High Voltage • Hermetic Ceramic Surface Mount Package • Designed For Low Noise General Purpose Amplifiers, Driver Stages and Signal Processing Applications • Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 2
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты