DataSheet26.com


K2071-01 даташит

Функция этой детали – «Mosfet ( Transistor ) - 2sk2071-01».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K2071-01 Fuji Electric
Fuji Electric
  MOSFET ( Transistor ) - 2SK2071-01

2SK2071-01L,S FAP-IIA Series > Features High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Avalanche Proof N-channel MOS-FET 600V 6,5Ω 2A 20W > Outline Drawing > Applications Switching Regulators UPS DC-DC converters General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characteristics - Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified Item Drain-Source-Voltage Drain-Gate-Voltage (RGS=20KΩ) Continous Drain Current Pulsed Drain Cur
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2071", "K2071"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1N2071 Semitronics
Semitronics

(1N2xxx) RECTIFIER DIODE

w w w .d e e h s a t a . u t4 m o c
pdf
1N2071 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode 250V 275A 2-Pin DO-9

pdf
1N2071A New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode 250V 275A 2-Pin DO-9

pdf
1S2071 American Microsemiconductor
American Microsemiconductor

Diode (spec sheet)

pdf
2SA2071 ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

Middle Power transistor

2SA2071 Middle Power transistor (-60V, -3A) Parameter VCEO IC Value -60V -3A lFeatures 1)High speed switching. 2)Low saturation voltage.  (Typ.:-200mV at IC=-2A, lB=-0.2A) 3)Strong discharge power for inductive load and   capacitance load. 4)Complements the 2SC5824 lOutli
pdf
2SA2071P5 ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

Power transistor

2SA2071P5 Power transistor (-60V, -3A) Parameter VCEO IC Value -60V -3A lFeatures 1)High speed switching. 2)Low saturation voltage.  (Typ.:-200mV at IC=-2A, lB=-0.2A) 3)Strong discharge power for inductive load and   capacitance load. 4)Complements the 2SC5824 lOutline �
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты