DataSheet26.com


EB13005 даташит

Функция этой детали – «Transistors».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
EB13005 SY
SY
  Transistors

SY semiconductors Shenzhen SY Semiconductors Co.,LTD. EB SERIES TRANSISTORS ●FEATURES:①HIGH VOLTAGE CAPABILITY ②HIGH SPEED SWITCHING ●APPLICATION:①FLUORESCENT LAMP ②ELECTRONIC BALLAST EB13005 ③WIDE SOA ●Absolute Maximum Ratings (Tc=25℃) TO-220 UNIT V V V A W ℃ ℃ 700 400 9 5.0 75 150 -65-150 NPN PARAMETER Collector– Base Voltage Collector– Emitter Voltage Emitter – Base Voltage Collector Current Total Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "13005", "EB13"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
13005A ETC
ETC

NPN SILICON TRANSISTOR

NPN SILICON TRANSISTOR ¶ÔÓ¦¹úÍâкŠ3DD13005A ¹ãÖݽðÓÀ ûµç× ÐÏÞ «Ë¾ A1 ¨€ ¸ßѹ¿ìËÙªØ 13005A ¨€ ÍâÐÎ ¼ °Òý½Å Á Ö÷ÒªÓÃ; ¨€ ¼«ÏÞÖµ £¨ Ta=25¡æ£© ¡-¡¡-¡-¡¡-¡-¡-¡-¡£¨ Tc=25¡æ£© µçÑ
pdf
13005BA Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

NPN SILICON TRANSISTOR

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13005BA Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON POWER TRANSISTORS  DESCRIPTION These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 1
pdf
13005EC Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

NPN SILICON TRANSISTOR

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13005EC Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON POWER TRANSISTORS  DESCRIPTION These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 1
pdf
3DD13005 Jiangsu Changjiang Electronics
Jiangsu Changjiang Electronics

TRANSISTOR

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220 Plastic-Encapsulate Transistors 3DD13005 TRANSISTOR£¨NPN £© TO¡ª 220 FEATURES Power dissipation PCM : 1.5 W£¨ Tamb=25¡æ£© Collector current ICM: 4A Collector-base voltage V(BR)CBO : 700
pdf
3DD13005 TRANSYS Electronics
TRANSYS Electronics

Plastic-Encapsulated Transistors

Transys Electronics L I M I T E D TO-220 Plastic-Encapsulated Transistors 3DD13005 FEATURES Power dissipation PCM: TRANSISTOR (NPN) TO-220 .datasheet.esom 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 1.5 W (Tamb=25℃) Collector current 4 A ICM: Collector-base voltage 700 V V(BR)CBO
pdf
3DD13005 JILIN SINO-MICROELECTRONICS
JILIN SINO-MICROELECTRONICS

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

R NPN 型高压功率开关晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 3DD13005 主要参数 IC VCEO PC(TO-220) MAIN CHARACTERISTICS 4A 400V 75W 封装 Package 用途 z z z z z 节能灯 电子镇流器 高频开关电源 高频功率变换 一般功率放大
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты