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PDF CS8305E Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | CS8305E | |
| Descripción | 5.0W mono / ultra-low EMI / filterless Class-D audio amplifier | |
| Fabricantes | Chipstar Micro-electronics | |
| Logotipo |  |
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上海智浦欣微电子有限公司
Chipstar Micro-electronics
CS8305E
5.0W单声道、超低EMI、无滤波器D类音频功放
概要
C S 8 3 0 5 E是 一 款 高 效 率 ， 超 低E M I，5 . 0 W单 声 道 Ｄ 类 音
频放大器。CS8305E无需滤波器的PWM调制结构减少了
外 部 元 件 、P C B面 积 和 系 统 成 本 ， 而 且 也 简 化 了 设 计 。
高 达9 0 %的 效 率 ， 快 速 的 启 动 时 间 和 纤 小 的 封 装 尺 寸 使
得CS8305E成为锂电或者USB供电音箱的最佳选择。
CS8305E的 全 差 分 架 构 和 极 高 的 PSRR有 效 地 提 高 了
CS8305E对RF噪声的抑制能力,并且省去了传统音频功放
的BYPASS电容。
CS8305E采 用 独 创 的 AERC(Adaptive Edge Rate
Control)技 术,能 提 供 优 异 的 全 带 宽EMI抑 制 能 力,在 不 加
任何辅助设计时,在FCC Part15 Class B标准下仍然具有
超 过2 0 d B的 裕 量 ， 特 别 适 合 音 箱 、C M M B、 移 动 模 拟 电
视等易受EMI干扰的应用。
CS8305E内置了过流保护,短路保护和过热保护,有效的保
护芯片在异常的工作条件下不被损坏。
CS8305E提供了ESOP8的封装类型,良好的散热性能使得
芯 片 在 大 功 率 的 情 况 使 用 更 安 全,其 额 定 的 工 作 温 度 范 围
为-40℃至85℃。
封装
ESOP8L
其他客户要求的封装类型
描述
输出功率
PO at 10% THD+N, VDD = 5.5V
RL = 2 Ω 5.34W(典型值)
RL = 4 Ω 3.04W(典型值)
PO at 1% THD+N, VDD = 3.6V
RL = 2 Ω 1.86W(典型值)
RL = 4 Ω 1.25W(典型值)
独创的AERC技术,提供优异的全带宽EMI抑制能力
优异的"噼噗-咔嗒"(pop-noise)杂音抑制能力
工作电压范围：2.5V到6.0V
无需滤波的Class-D结构
高达90%的效率
高的电源抑制比(PSRR)：在217Hz下为-80dB
快速的启动时间 (40ms)
低静态电流 (4mA)
低关断电流 (＜0.1µA)
过流保护，短路保护和过热保护
符合Rohs标准的无铅封装
应用：
USB音箱/便携式音箱
PMP/MP4/MP5播放器
GPS
数码相框
引脚分布
1 VO+
2 PVDD
3 VDD
4 -IN
ESOP_8L
(Top View)
VO- 8
GND 7
SD 6
+IN 5
引脚定义以及功能
序号
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
VO+
PVDD
VDD
-IN
+IN
SD
GND
VO-
描述
正相音频输出
电源输入
模拟电源输入
反相音频输入
正相音频输入
关断控制
地
反相音频输出
www.chipstar-ic.com
Copyright@Chipstar Microelectronics page1
Jul,2011 Rev.1.0
1 page  
上海智浦欣微电子有限公司
Chipstar Micro-electronics
典型特征曲线 TA=25°C, RL = 4 Ω (除非特殊说明)
EFFICIENCY vs OUTPUT POWER
100
90
80 VDD=5V
70
VDD=3.6V
VDD=2.5V
60
RL=2Ω+33μH
50 f=1kHz
40 Class AB
30
20
10 RL=8Ω+33μH
0
0 0.6 1.2 1.8 2.4 3 3.6 2.2 4.8 5.6
Output Power ( W )
THD+N vs OUTPUT POWER
100
RL=2Ω+33μH
f=1kHz
10 VDD=2.5V
VDD=3.6V
1 VDD=5V
CS8305E
EFFICIENCY vs OUTPUT POWER
90
80
70
VDD=5V
VDD=3.6V
60 VDD=2.5V
50
RL=4Ω+33μH
f=1kHz
40 Class AB
30
20
10 RL=4Ω+33μH
0
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2
Output Power ( W )
THD+N vs OUTPUT POWER
100
RL=4Ω+33μH
f=1kHz
10
VDD=2.5V
VDD=3.6V
1 VDD=5V
0.1 0.1
0.01
0.001
0.01
0.5
2
Output Power ( W )
10
THD+N vs FREQUENCY
1
VDD=3.6V
0.5 RL=2Ω+33μH PO =125mW
PO =250mW
0.2
0.1 PO =500mW
0.05
0.02
0.01
20
100 1K
FREQUENCY ( Hz )
10K 20K
0.01
0.001
0.01
0.1
1
Output Power ( W )
10
THD+N vs FREQUENCY
1
VDD=3.6V
PO=250mW
0.5 RL=4Ω+33μH
PO=1W
0.2
0.1
0.05
PO =500mW
0.02
0.01
20
100 1K
FREQUENCY ( Hz )
10K 20K
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Jul,2011 Rev.1.0
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| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| CS8305E | 5.0W mono / ultra-low EMI / filterless Class-D audio amplifier | Chipstar Micro-electronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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