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PDF SFH421 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | SFH421 | |
| Descripción | GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package | |
| Fabricantes | Siemens Semiconductor Group | |
| Logotipo |  |
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GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse
GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package
3.0
2.6
2.1
1.7
2.3
0.1 (typ)
0.9
2.1 0.7
SFH 421
SFH 426
0.8
0.6
Cathode/Collector marking
Approx. weight 0.03 g
(2.4)
0.18 0.6
0.12 0.4
Cathode/Collector
GPL06724
SFH 421 TOPLED®
Cathode/
Collector
2.54
spacing
1.1
0.9
Anode/
Emitter
Collector/Cathode marking
(2.85)
GPL06880
(R1)
4.2
3.8
SFH 426 SIDELED®
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
Features
q GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad q Very highly efficient GaAIAs-LED
q Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen q Good Linearity (Ie = f [IF]) at high currents
q Gleichstrom- (mit Modulation) oder
q DC (with modulation) or pulsed operations
Impulsbetrieb möglich
are possible
q Hohe Zuverlässigkeit
q High reliability
q Hohe Impulsbelastbarkeit
q High pulse handling capability
q Oberflächenmontage geeignet
q Suitable for surface mounting (SMT)
q Gegurtet lieferbar
q Available on tape and reel
q SFH 421 Gehäusegleich mit SFH 320/420
q SFH 421 same package as SFH 320/420
SFH 426 Gehäusegleich mit SFH 325/425
SFH 426 same package as SFH 325/425
q SFH 426: Nur für IR-Reflow-Lötung geeignet. q SFH 426: Suitable only for IR-reflow
Bei Schwallötung wenden Sie sich bitte an uns. soldering. In case of dip soldering, please
contact us first.
Semiconductor Group
1
1997-11-01
1 page  
SFH 421
SFH 426
Löthinweise
Soldering conditions
Bauform
Types
Tauch-, Schwall- und Schlepplötung
Dip, wave and drag soldering
Lötbad-
temperatur
Maximal
zulässige
Lötzeit
Abstand
Lötstelle –
Gehäuse
Reflowlötung
Reflow soldering
Lötzonen- Maximale
temperatur Durchlaufzeit
TOPLED
Temperature
of the
soldering
bath
Max. perm.
soldering
time
260 °C
8s
Distance
between
solder joint
and case
–
Temperature Max. transit
of soldering time
zone
245 °C
10 s
SIDELED
–
–
–
≥ 225 °C
10 s
Zusätzliche Informationen über allgemeine Lötbedingungen finden Sie im Datenbuch S. 103ff.
For additional information on generel soldering conditions please refer to our Data Book on
page 169ff.
Permissible pulse handling capability
IF = f (tp)
duty cycle D = Parameter, TA = 25 °C
10 4
mA
ΙF
103 0.1
0.2
D = 0.005
0.01
0.02
0.05
OHR00886
0.5
102 DC
D
=
tp
T
tp
ΙF
T
10 1
10
-5
10 -4
10 -3
10 -2
10-1 100
101 s 102
tp
Semiconductor Group
5
1997-11-01
5 Page | ||
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| PDF Descargar | [ Datasheet SFH421.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SFH420 | GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAs Infrared Emitter in SMT Package | Siemens Semiconductor Group |
| SFH420 | (SFH420 / SFH425) GaAs Infrared Emitter |  OSRAM GmbH |
| SFH4200 | (SFH4200 / SFH4205) Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode |  Infineon Technologies |
| SFH4205 | (SFH4200 / SFH4205) Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode | Infineon Technologies |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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