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PDF SIF15N50C Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | SIF15N50C | |
| Descripción | N-CHANNEL POWER MOSFET | |
| Fabricantes | SI Semiconductors | |
| Logotipo |  |
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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET
SIF15N50C
●特点：热阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范
●FEATURES：■LOW THERMAL RESISTANCE ■FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE
■RoHS COMPLIANT
●应用：电子镇流器 电子变压器 开关电源
●APPLICATION: ■ELECTRONIC BALLAST ■ELECTRONIC TRANSFORMER ■SWITCH MODE POWER SUPPLY
●最大额定值（TC=25°C）
●Absolute Maximum Ratings（Tc=25°C）
参数
符号
PARAMETER
SYMBOL
漏-源电压
Drain-source Voltage
VDS
栅-源电压
gate-source Voltage
VGS
漏极电流
Continuous Drain Current
TC=25℃
ID
漏极电流
Continuous Drain Current
TC=100℃
ID
最大脉冲电流
Drain Current －Pulsed ①
IDM
TO-220/220FP/262/263
额定值
单位
VALUE
UNIT
500 V
±30
V
15 A
11 A
60 A
VDS=500V
RDS(ON)=0.45Ω
ID=15A
耗散功率
Power Dissipation
TO-220:225
Ptot
TO-220FP:50
W
TO-262/263:156
最高结温
Junction Temperature
Tj
150 °C
存储温度
Storage Temperature
TSTG
-55-150
°C
单脉冲雪崩能量
Single Pulse Avalanche Energy ②
EAS
500 mJ
●电特性（Tc=25°C）
●Electronic Characteristics（Tc=25°C）
参数
符号
PARAMETER
SYMBOL
漏-源击穿电压
Drain-source Breakdown Voltage
BVDSS
测试条件
TEST CONDITION
VGS=0V, ID=250µA
最小值
MIN
600
典型值
TYP
最大值
MAX
单位
UNIT
V
击穿电压温度系数
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
栅极开启电压
Gate Threshold Voltage
漏-源漏电流
Drain-source Leakage Current
跨导
Forward Transconductance
二极管电压变动率
Reverse Diode dv/dt
ΔBVDSS/
ΔTj
VGS(TH)
IDSS
gfs
dv/dt
ID=250uA, Referenced to
25°C
VGS=VDS, ID=250µA
VDS =500V,
VGS =0V, Tj=25°C
VDS =400V,
VGS =0V, Tj=125°C
VDS =40V, ID=7.5A
③
ISD≤12A,Tj=25°C
2.0
0.65
11
10
V/°C
4.0 V
1 µA
10 µA
S
V/ns
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
包装形式/PACKING
TO-220 条管装/TUBE PACKING
订货编码/ORDERING CODE
普通塑封料/ Normal Package Material
无卤塑封料/Halogen Free
SIF15N50C TO-220-TU
SIF15N50C TO-220-TU-HF
TO-220FP 条管装/TUBE PACKING
SIF15N50C TO-220FP-TU
SIF15N50C TO-220FP-TU-HF
TO-262 或 263 条管装/TUBE PACKING
TO-263 编带装/TAPE & REEL PACKING
SIF15N50C TO-262-TU 或
SIF15N50C TO-263-TU
SIF15N50C TO-263-TR
SIF15N50C TO-262-TU-HF 或
SIF15N50CTO-263-TU-HF
SIF15N50C TO-263-TR-HF
Si semiconductors 2016.3
1
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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
符号
SYMBOL
A
A1
b
b1
c
D
D1
E
最小值
min
4.40
2.30
0.45
1.10
0.35
14.50
6.10
9.60
TO-220FP 封装机械尺寸
TO-220FP MECHANICAL DATA
典型值
nom
最大值
max
4.95
2.90
0.90
1.70
0.90
17.00
9.00
10.30
符号
SYMBOL
e
L
L1
L2
L3
øp
Q
最小值
min
12.50
9.10
15.00
3.00
3.00
2.30
单位:毫米/UNIT：mm
典型值
最大值
nom
max
2.54
14.30
10.05
16.00
4.00
3.50
2.80
Si semiconductors 2016.3
5
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SIF15N50C | N-CHANNEL POWER MOSFET | SI Semiconductors |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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