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PDF SVF2N65M Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | SVF2N65M | |
| Descripción | MOSFET ( Transistor ) | |
| Fabricantes | Silan Microelectronics | |
| Logotipo |  |
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士兰微电子
SVF2N65CF/M 说明书
2A、650V N沟道增强型场效应管
描述
SVF2N65CF/M/MJ/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体
管采用士兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的
工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开
关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高
压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点
2A，650V，RDS(on)(典型值)=4.3Ω@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了 dv/dt 能力
命名规则
SVF XNEXXCX
士兰F-Cell工艺
VDMOS产品标识
额定电流标识,采用1-2位数字；
例如:4 代表 4A,10 代表 10A,
08 代表 0.8A
沟道极性标识，N代表N 沟道
产品规格分类
产品名称
SVF2N65CF
SVF2N65CM
SVF2N65CMJ
SVF2N65CD
SVF2N65CDTR
封装形式
TO-220F-3L
TO-251D-3L
TO-251J-3L
TO-252-2L
TO-252-2L
打印名称
SVF2N65CF
SVF2N65C
SVF2N65C
SVF2N65CD
SVF2N65CD
2
1
3
1.栅极 2.漏极 3.源极
1
23
TO-251J-3L
1 23
TO-251D-3L
1
3
TO-252-2L
1 2 3 TO-220F-3L
封装外形标识
例如：F:TO-220F; M:TO-251D
MJ: TO-251J; D:TO-252
版本
额定耐压值，采用2位数字
例如：60表示600V,65表示650V
特殊功能、规格标识，通常省略
例如：E 表示内置了ESD保护结构
材料
无卤
无卤
无卤
无卤
无卤
包装
料管
料管
料管
料管
编带
杭州士兰微电子股份有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号：1.0
共9页 第1页
1 page  
士兰微电子
典型特性曲线（续）
图7. 击穿电压vs.温度特性
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-100 -50
注：
1. VGS=0V
2. ID=250µA
0 50 100 150 200
结温 – TJ(°C)
图9-1. 最大安全工作区域(SVF2N65CF)
101
0.1ms
100
10-1
此区域工作受限于RDS(ON)
1ms
10ms
100ms
DC
注：
1.TC=25°C
2.Tj=150°C
10-2
3.RDS(ON) [MAX]=5Ω
100 101
102
漏源电压 - VDS(V)
103
图9-3. 最大安全工作区域(SVF2N65CMJ)
101
0.1ms
100
10-1
此区域工作受限于RDS(ON)
1ms
10ms
100ms
DC
注：
1.TC=25°C
2.Tj=150°C
10-2
3.RDS(ON) [MAX]=5Ω
100 101
102
漏源电压 - VDS(V)
103
杭州士兰微电子股份有限公司
http: //www.silan.com.cn
SVF2N65CF/M 说明书
图8. 导通电阻vs.温度特性
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100 -50
注：
1. VGS=10V
2. ID=1.0A
0 50 100 150 200
结温 – TJ(°C)
图9-2. 最大安全工作区域(SVF2N65CM/D)
101
0.1ms
100
10-1
此区域工作受限于RDS(ON)
1ms
10ms
100ms
DC
注：
1.TC=25°C
2.Tj=150°C
10-2
3.RDS(ON) [MAX]=5Ω
100 101
102
漏源电压 - VDS(V)
103
图10. 最大漏极电流vs. 壳温
2.0
1.5
1.0
0.5
0
25 50 75 100 125 150
壳温 – TC(°C)
版本号：1.0
共9页 第5页
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SVF2N65CF | MOSFET ( Transistor ) | Silan Microelectronics |
| SVF2N65F | 650V N-CHANNEL MOSFET |  SL |
| SVF2N65FG | 650V N-CHANNEL MOSFET | SL |
| SVF2N65M | MOSFET ( Transistor ) | Silan Microelectronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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