|
ZPD82 даташитФункция этой детали – «SilICon Zener Diode ( Rectifier )». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
ZPD82 | Shanghai Lunsure Electronic Tech |
0.5W SILICON PLANAR ZENER DIODES CE
CHENYI ELECTRONICS FEATURES
. The zener voltage are gaded accrding to the intermational E24 standard. Over voltage tolerance and higher zener voltage on request
ZPD2.7 THRU ZPD51
0.5W SILICON PLANAR ZENER DIODES
MECHANICAL DATA
. Case: DO-35 glass case . Polarity: Color band denotes cathode end .weight: Approx. 0.13 gram
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(LIMITING VALUES)(TA=25
Symbols Zener current see table "Characteristics" Power dissipation at TA=25 Junction temperature Storage temperature range Value
)
Units
Ptot TJ |
|
ZPD82 | GOOD-ARK Electronics |
Silicon Zener Diode ( Rectifier ) ZPD2.7 THRU ZPD51
SILICON PLANAR ZENER DIODES
Features
Silicon Planar Zener Diodes The Zener voltages are graded according to the international E 24 standard. Smaller voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
DIM ENSIONS DIM A B C D inches Min. 1.083 Max. 0.154 0.075 0.020 Min. 27.50 mm Max. 3.9 1.9 0.52 Note
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25
)
Symbols Values Units
Zener current see Table "Characteristics" Power dissipation at Tamb=25 Junction temperature Storage temperature range Ptot Tj TS 500
1)
m |
|
ZPD82 | Diodes Incorporated |
SILICON PLANAR ZENER DIODE ZPD1 - ZPD51
SILICON PLANAR ZENER DIODE Features
· · · Planar Die Construction Hermetically Sealed Glass Case 0.7V - 51V Nominal Zener Voltages
A
B
A
Mechanical Data
· · · · · Case: Glass, DO-35 Leads: Solderable per MIL-STD-202, Method 208 Polarity: Cathode Band Marking: Type Number Weight: 0.13 grams (approx.)
DO-35 Dim A B C D Min 25.4 — — —
D
C
Max — 4.57 0.53 1.9
All Dimensions in mm
Maximum Ratings
@ TA = 25°C unless otherwise specified Symbol — Pd RqJA Tj, TSTG Value — 500 300 -55 to |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |