|
ZMY8.2 даташитФункция этой детали – «Surface Mount SilICon-zener Diodes (non-planar Technology)». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
ZMY8.2 | Semtech Corporation |
SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES |
|
ZMY8.2 | General Semiconductor |
Zener Diode ( Rectifier ) ZMY1 THRU ZMY100
ZENER DIODES
MELF
FEATURES
♦ Silicon Planar Power Zener Diodes ♦ For use in stabilizing and clipping circuits with higher power rating. ♦ The Zener voltages are graded according to the international E24 standard. Smaller voltage tolerances and other Zener voltages are available upon request. ♦ These diodes are also available in the DO-41 case with the type designation ZPY1 … ZPY100.
Cathode Mark
.102 (2.6) .094 (2.4) .022 (0.55) .205 (5.2) .189 (4.8)
Dimensions are in inches and (millimeter |
|
ZMY8.2 | Diotec Semiconductor |
Surface mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology) ZMY 1…ZMY 200 (1.3 W) Surface mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology) Version 2004-05-13 Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung
2.5
Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage
1.3 W 1…200 V DO-213AB 0.12 g
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung Plastic case MELF Kunststoffgehäuse MELF Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
5.0
Type Typ
0.5
0.5
Dimensions / Maße in mm
Standard packagi |
|
ZMY8.2G | Diotec Semiconductor |
Surface mount Silicon-Zener Diodes (planar technology) ZMY 1 G … ZMY 100 G (1.0 W) Surface mount Silicon-Zener Diodes (planar technology) Version 2004-05-13 Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung
2.5
Planare Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage
1.0 W 1…100 V DO-213AB 0.12 g see page 18 siehe Seite 18
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung Glass case MELF Glasgehäuse MELF Weight approx. – Gewicht ca. Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
5.0
Type Typ
Dimensions / Maße in mm
Standard Zener voltage tole |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |