|
YG865C10 даташитФункция этой детали – «PDF». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
YG865C10R | Fuji |
Low IR Schottky barrier diode YG865C10R (100V / 20A)
Low IR Schottky barrier diode Features
Low IR Low VF Center tap connection
[200509]
Outline drawings, mm
Applications
High frequency operation DC-DC converters AC adapter
Package : TO-220F Epoxy resin UL : V-0
Connection diagram
1
2
3
Maximum ratings and characteristics
Maximum ratings
Item Repetitive peak surge reverse voltage Repetitive peak reverse voltage Isolating voltage Average output current Non-repetitive surge current
non-repetitive reverse surge power dissipation
Symbol VRSM VR |
Это результат поиска, начинающийся с "865C10", "YG865C" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
YG865C04R | Fuji |
Low IR Schottky barrier diode YG865C04R (45V / 20A)
Low IR Schottky barrier diode
[200509]
Outline drawings, mm
Features
Low IR Low VF Center tap connection
Applications
High frequency operation DC-DC converters AC adapter
Package : TO-220F Epoxy resin UL : V-0
Connection diagram
1 23
Maximum ratings and |
|
YG865C15R | Fuji |
High Voltage Schottky barrier diode YG865C15R (20A)
High Voltage Schottky barrier diode Major characteristics
10±0.5
(150V / 20A )
[0401]
Outline drawings, mm
ø3.2
+0.2 -0.1
4.5±0.2 2.7±0.2
6.3
2.7±0.2
Characteristics YG865C15R Units Condition VRRM VF IO 150 0.90 20 V V A
Tc=25°C MAX.
3.7±0.2
1
2
3
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |