|
YG802C06 даташит PDFЭто Schottky Barrier Diode. На странице результатов поиска YG802C06 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| YG802C06 |  Fuji Electric |
SCHOTTKY BARRIER DIODE For more information, contact: Collmer Semiconductor, Inc. P.O. Box 702708 Dallas, TX 75370 972-733-1700 972-381-9991 Fax http://www.collmer.com
|
 |
| YG802C06R | Fuji Electric |
SCHOTTKY BARRIER DIODE YG802C06R
SCHOTTKY BARRIER DIODE
(60V / 10A TO-22OF15)
Outline Drawings
10±0.5 ø3.2
+0.2 -0.1
4.5±0.2 2.7±0.2 6.3
2.7±0.2 3.7±0.2
1.2±0.2 13Min
Features
Low VF Super high speed switching. High reliability by planer design.
15±0.3
0.7±0.2 2.54±0.2
0.6
+0.2 -0
2.7±0.2
JEDEC EIAJ
SC-67
Applications
High speed power switching.
Connection Diagram
2 1 3
Maximum Ratings and Characteristics
Absolute Maximum Ratings
Item Repetitive peak reverse voltage Repetitive peak surge reverse voltage Isolation vol |
|
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
 |
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
введение сайта
|
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |