|
XPT9922 даташитФункция этой детали – «Anti-breaking Features Class D Audio Power Amplifiers». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
XPT9922 | XPT |
Anti-breaking features Class D audio power Amplifiers 芯片功能说明
深圳市矽普特科技有限公司
XPT9922
10W 立体声 D 类,宽工作电压、带防破音、过热、过压保护功能音频功放
XPT9922
实物图
XPT9922 是一款立体声带防破音功能的 D 类音频功 率放大器。最大输出功率可达 10W/通道(4Ω,BTL 负载,THD<10%),音频范围内总谐波失真噪声小 于 1%。XPT9922 的应用电路简单,只需极少数外围 器件,集成反馈电阻;输出不需要外接耦合电容或自 举电容和缓冲 |
Это результат поиска, начинающийся с "9922", "XPT9" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
99227 | IXYS Corporation |
PolarHV Power MOSFET Advanced Technical Information
PolarHVTM Power MOSFET
Electrically Isolated Tab, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated
IXTC 26N50P
VDSS = 500 V = 13 A ID25 RDS(on) = 260 mΩ
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL VISOL FC Weight
Test Co |
|
AP9922EO | Advanced Power Electronics |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET AP9922EO
Advanced Power Electronics Corp.
▼ Low on-resistance ▼ Capable of 2.5V gate drive
D2 S2 G2 S2
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON)
S1 D1 G1 S1
20V 15mΩ 6.8A
▼ Optimal DC/DC battery application
TSSOP-8
ID
Description
The |
|
APM9922K | Anpec Electronics Coropration |
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET APM9922K
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Features
•
20V/6A, RDS(ON) =28mΩ(typ.) @ VGS =4.5V RDS(ON) =34mΩ(typ.) @ VGS =2.5V
Pin Description
• • •
Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compliant) Top V |
|
DMBT9922 | Diodes Incorporated |
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DMBT9922
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features
NEW PRODUCT
· · · ·
Epitaxial Planar Die Construction Ideal for Medium Power Amplification and Switching High Current Gain Complement to DMBT9022
SOT-23
A C TOP VIEW B E D G H K J L M E B C
|
|
DMDT9922 | Diodes Incorporated |
MATCHED PAIR SURFACE MOUNT TRANSISTOR DMDT9922
PNP DUAL, MATCHED PAIR SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features
ADVANCE INFORMATION
· · · ·
Epitaxial Planar Die Construction Low Noise High Current Gain Matched Pair of Transistors
SOT-363
A
C2 B1 E1
Dim A B
B C
C1
Min 0.10 1.15 2.00 0.30 1.80 ¾ 0.90 0.25 0.10
Max |
|
FS9922-DMM3 | Fortune Semiconductor |
Integrated Circuits
REV. 0.6
FS9922-DMM3-DS-06_EN
SEP 2006
Datasheet
FS9922-DMM3
Integrated Circuits of 4,000 Counts Auto-ranging Digital Multimeter with Bar Graph
FS9922-DMM3
Fortune Semiconductor Corporation 富晶電子股份有限公司 28F., No.27, |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |