|
XP1080-QU даташитФункция этой детали – «Power Amplifier». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
XP1080-QU | MA-COM |
Power Amplifier XP1080-QU
Power Amplifier 37.0 - 40.0 GHz
Features
Linear Power Amplifier On-Chip Power Detector Output Power Adjust 25.0 dB Small Signal Gain +27.0 dBm P1dB Compression Point +38.0 dBm OIP3 Lead-Free 7 mm 28-lead SMD Package RoHS* Compliant and 260°C Reflow Compatible
Description
The XP1080-QU is a four stage 37.0-40.0 GHz packaged GaAs MMIC power amplifier that has a small signal gain of 25.0 dB with a +38.0 dBm Output Third Order Intercept. The amplifier contai |
Это результат поиска, начинающийся с "1080", "XP1080" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA1080 | Inchange Semiconductor |
Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification
2SA1080
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -40V(Min.) ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type 2SC2530
APPLICATIONS ·Designed for medium power amplifier applicati |
|
2SA1080 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 90V 0.1A 3-Pin TO-92 |
|
2SC1080 | SavantIC |
(2SC1079 / 2SC1080) SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2SC1079 2SC1080
DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Complement to type 2SA679/680 ·High power dissipation APPLICATIONS ·For audio power amplifier applications
PINNING(see Fig.2) PIN |
|
81080V | Lattice Semiconductor |
3.3V In-System Programmable SuperBIG High Density PLD ispLSI 81080V
®
3.3V In-System Programmable SuperBIG™ High Density PLD Features
• SuperBIG HIGH DENSITY IN-SYSTEM PROGRAMMABLE LOGIC — 3.3V Power Supply — 60,000 PLD Gates/1080 Macrocells — 192-360 I/O Pins Supporting 3.3V/2.5V I/O — 1440 Registers — High-Speed Gl |
|
ALD110800 | Advanced Linear Devices |
QUAD/DUAL N-CHANNEL ZERO THRESHOLD EPAD MATCHED PAIR MOSET ARRAY ADVANCED LINEAR DEVICES, INC.
TM
ALD110800/ALD110800A/ALD110900/ALD110900A
VGS(th)= +0.0V
e
EPAD
EN
®
AB
LE
D
QUAD/DUAL N-CHANNEL ZERO THRESHOLD™ EPAD® MATCHED PAIR MOSFET ARRAY
GENERAL DESCRIPTION ALD110800A/ALD110800/ALD110900A/ALD110900 are mon |
|
ALD110800A | Advanced Linear Devices |
QUAD/DUAL N-CHANNEL ZERO THRESHOLD EPAD MATCHED PAIR MOSET ARRAY ADVANCED LINEAR DEVICES, INC.
TM
ALD110800/ALD110800A/ALD110900/ALD110900A
VGS(th)= +0.0V
e
EPAD
EN
®
AB
LE
D
QUAD/DUAL N-CHANNEL ZERO THRESHOLD™ EPAD® MATCHED PAIR MOSFET ARRAY
GENERAL DESCRIPTION ALD110800A/ALD110800/ALD110900A/ALD110900 are mon |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |