DataSheet26.com


XP1080-QU даташит

Функция этой детали – «Power Amplifier».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
XP1080-QU MA-COM
MA-COM
  Power Amplifier

XP1080-QU Power Amplifier 37.0 - 40.0 GHz Features  Linear Power Amplifier  On-Chip Power Detector  Output Power Adjust  25.0 dB Small Signal Gain  +27.0 dBm P1dB Compression Point  +38.0 dBm OIP3  Lead-Free 7 mm 28-lead SMD Package  RoHS* Compliant and 260°C Reflow Compatible Description The XP1080-QU is a four stage 37.0-40.0 GHz packaged GaAs MMIC power amplifier that has a small signal gain of 25.0 dB with a +38.0 dBm Output Third Order Intercept. The amplifier contai
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "1080", "XP1080"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SA1080 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

Silicon PNP Power Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor isc Product Specification 2SA1080 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -40V(Min.) ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type 2SC2530 APPLICATIONS ·Designed for medium power amplifier applicati
pdf
2SA1080 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Trans GP BJT PNP 90V 0.1A 3-Pin TO-92

pdf
2SC1080 SavantIC
SavantIC

(2SC1079 / 2SC1080) SILICON POWER TRANSISTOR

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1079 2SC1080 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Complement to type 2SA679/680 ·High power dissipation APPLICATIONS ·For audio power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN
pdf
81080V Lattice Semiconductor
Lattice Semiconductor

3.3V In-System Programmable SuperBIG High Density PLD

ispLSI 81080V ® 3.3V In-System Programmable SuperBIG™ High Density PLD Features • SuperBIG HIGH DENSITY IN-SYSTEM PROGRAMMABLE LOGIC — 3.3V Power Supply — 60,000 PLD Gates/1080 Macrocells — 192-360 I/O Pins Supporting 3.3V/2.5V I/O — 1440 Registers — High-Speed Gl
pdf
ALD110800 Advanced Linear Devices
Advanced Linear Devices

QUAD/DUAL N-CHANNEL ZERO THRESHOLD EPAD MATCHED PAIR MOSET ARRAY

ADVANCED LINEAR DEVICES, INC. TM ALD110800/ALD110800A/ALD110900/ALD110900A VGS(th)= +0.0V e EPAD EN ® AB LE D QUAD/DUAL N-CHANNEL ZERO THRESHOLD™ EPAD® MATCHED PAIR MOSFET ARRAY GENERAL DESCRIPTION ALD110800A/ALD110800/ALD110900A/ALD110900 are mon
pdf
ALD110800A Advanced Linear Devices
Advanced Linear Devices

QUAD/DUAL N-CHANNEL ZERO THRESHOLD EPAD MATCHED PAIR MOSET ARRAY

ADVANCED LINEAR DEVICES, INC. TM ALD110800/ALD110800A/ALD110900/ALD110900A VGS(th)= +0.0V e EPAD EN ® AB LE D QUAD/DUAL N-CHANNEL ZERO THRESHOLD™ EPAD® MATCHED PAIR MOSFET ARRAY GENERAL DESCRIPTION ALD110800A/ALD110800/ALD110900A/ALD110900 are mon
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты