DataSheet26.com


XP1035-BD даташит

Функция этой детали – «Linear Power Amplifier».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
XP1035-BD Mimix Broadband
Mimix Broadband
  Linear Power Amplifier

5.9-9.5 GHz GaAs MMIC Linear Power Amplifier April 2008 - Rev 02-Apr-08 Features 26 dB Small Signal Gain 39 dBm Third Order Intercept Point (OIP3) Integrated Power Detector 100% On-Wafer RF Testing P1035-BD General Description The XP1035-BD is a linear power amplifier that operates over the 5.9-9.5GHz frequency band.The device provides 26 dB gain and 39 dBm Output Third Order Intercept Point (OIP3) across the band and is comprised of a three stage power amplifier with an integrated, temperature compensated on-chip pow
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "1035", "XP1035"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
10358 ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

BA10358

Standard ICs Dual ground sense operational amplifier BA10358 / BA10358F / BA10358FV / BA10358N The BA10358, BA10358F, BA10358FV, and BA10358N are monolithic ICs with two independent built-in operational amplifiers featuring high gain and frequency compensati
pdf
1035MP Advanced Power Technology
Advanced Power Technology

bipolar transistor

Datasheet.es 1035MP 35 Watts, 50 Volts Avionics 1025 - 1150 MHz GENERAL DESCRIPTION The 1035 MP is a COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for pulsed systems in the frequency band 1025-1150 MHz. The device has gold thin-film metallization for proven highest MTTF.
pdf
160X10359X CONEC Elektronische Bauelemente GmbH
CONEC Elektronische Bauelemente GmbH

SCREW LOCKING

pdf
2N1035 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

GERMANIUM POWER TRANSISTORS

pdf
2SA1035 Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor

Silicon PNP Epitaxial Transistor

Transistor 2SA1034, 2SA1035 Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency and low-noise amplification Complementary to 2SC2405 and 2SC2406 Unit: mm s Features q q q 2.9 –0.05 Parameter Collector to base voltage Collector to 2SA1034 2SA1035 2SA1034 Symbol VCBO VCEO VE
pdf
2SA1035 Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor

Silicon NPN epitaxial planer type

Transistor 2SA1034, 2SA1035 Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency and low-noise amplification Complementary to 2SC2405 and 2SC2406 Unit: mm s Features q q q 2.9 –0.05 Parameter Collector to base voltage Collector to 2SA1034 2SA1035 2SA1034 Symbol VCBO VCEO VE
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты