|
XP1022-BD даташитФункция этой детали – «Gaas MmIC Power Amplifier». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
XP1022-BD | Mimix Broadband |
GaAs MMIC Power Amplifier 17.0-25.0 GHz GaAs MMIC Power Amplifier
February 2007 - Rev 05-Feb-07
P1022-BD Chip Device Layout
Features
Excellent Transmit Output Stage Temperature Compensated Output Detector On-Chip ESD Protection 20.0 dB Small Signal Gain +28.0 dBm P1dB Compression Point 100% On-Wafer RF, DC and Output Power Testing 100% Visual Inspection to MIL-STD-883 Method 2010
General Description
Mimix Broadband’s three stage 17.0-25.0 GHz GaAs MMIC buffer amplifier has a small signal gain of 20.0 dB with a +28.0 dBm P1dB output compress |
Это результат поиска, начинающийся с "1022", "XP1022" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N1022 | New Jersey Semiconductor |
GERMANIUM POWER TRANSISTORS |
|
2N1022A | New Jersey Semiconductor |
GERMANIUM POWER TRANSISTORS |
|
2SA1022 | Panasonic Semiconductor |
Silicon PNP Epitaxial Transistor Transistor
2SA1022
Silicon PNP epitaxial planer type
For high-frequency amplification Complementary to 2SC2295
Unit: mm
s Features
q q
2.8 –0.3 0.65±0.15
+0.2
+0.25 1.5 –0.05
0.65±0.15
0.95
High transition frequency fT. Mini type package, allowing downsizing of the |
|
2SA1022 | Panasonic Semiconductor |
Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification) Transistor
2SA1022
Silicon PNP epitaxial planer type
For high-frequency amplification Complementary to 2SC2295
Unit: mm
s Features
q q
2.8 –0.3 0.65±0.15
+0.2
+0.25 1.5 –0.05
0.65±0.15
0.95
High transition frequency fT. Mini type package, allowing downsizing of the |
|
2SB1022 | ETC |
2SB1022 |
|
2SB1022 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SB1022
DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High DC current gain ·Low saturation voltage ·Complement to type 2SD1417 APPLICATIONS ·High power switching applications ·Hammer dr |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |