|
XP1013 даташитФункция этой детали – «Gaas MmIC Power Amplifier». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
XP1013 | Mimix Broadband |
GaAs MMIC Power Amplifier 17.0-26.0 GHz GaAs MMIC Power Amplifier
May 2005 - Rev 05-May-05
P1013 Chip Device Layout
Features
Excellent Saturated Output Stage Competitive RF/DC Bias Pin for Pin Replacement 20.0 dB Small Signal Gain +24.0 dBm Saturated Output Power 100% On-Wafer RF, DC and Output Power Testing 100% Visual Inspection to MIL-STD-883 Method 2010
General Description
Mimix Broadband’s three stage 17.0-26.0 GHz GaAs MMIC power amplifier has a small signal gain of 20.0 dB with a +24.0 dBm saturated output power. This MMIC uses Mimix |
|
XP1013-BD | Mimix Broadband |
Power Amplifier 17.0-26.0 GHz GaAs MMIC Power Amplifier
August 2007 - Rev 08-Aug-07
Features
Excellent Saturated Output Stage Competitive RF/DC Bias Pin for Pin Replacement 20.0 dB Small Signal Gain +24.0 dBm Saturated Output Power 100% On-Wafer RF, DC and Output Power Testing 100% Visual Inspection to MIL-STD-883 Method 2010
P1013-BD Chip Device Layout
XP1013-BD
General Description
Mimix Broadband’s three stage 17.0-26.0 GHz GaAs MMIC power amplifier has a small signal gain of 20.0 dB with a +24.0 dBm saturated output power.This M |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |