|
XP1001 даташитФункция этой детали – «Gaas MmIC Power Amplifier». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
XP1001 | Mimix Broadband |
GaAs MMIC Power Amplifier 26.0-40.0 GHz GaAs MMIC Power Amplifier
May 2005 - Rev 05-May-05
P1001 Chip Device Layout
Features
High Linearity Wideband Amplifier On-Chip Temperature Compensated Output Power Detector Balanced Design Provides Good Input/Output Match 11.0 dB Small Signal Gain +31.0 dBm Third Order Intercept (OIP3) 100% On-Wafer RF, DC and Output Power Testing 100% Visual Inspection to MIL-STD-883 Method 2010
General Description
Mimix Broadband’s two stage 26.0-40.0 GHz GaAs MMIC power amplifier is optimized for linear operation w |
Это результат поиска, начинающийся с "1001", "XP1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
0FHJ1001G | Lineage Power |
Inline Holder Fuseholders
Inline Holder for JCASE™ Style Fuses
Specifications
Maximum Voltage Rating: Maximum Current Rating: Cable Insulation Operating Temperature Range: Max. Fuse Insertion Force:
58V
See table below.
GXL, 125˚C -40˚C to +125˚C 49N
This product is an In-line fuse |
|
1001 | C&D Technologies |
Pulse Transformers |
|
100117 | Philips |
Triple 1-2-2 Input OR-AND / OR-AND-Invert Gate |
|
100117 | National |
Triple 2 Wide OA/OAI Gate |
|
100118 | Philips |
Quint 2-4-4-4-5 Input OR-AND Gate |
|
100118 | National |
5 Wide 5-4-4-4-2 OA/OAI Gate |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |