|
XCV1600E-6HQ240I даташитФункция этой детали – «Virtex-e 1.8 V Field Programmable Gate Arrays». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
XCV1600E-6HQ240I | Xilinx |
Virtex-E 1.8 V Field Programmable Gate Arrays 0
R
Virtex™-E 1.8 V Field Programmable Gate Arrays
0 0
DS022-1 (v2.2) November 9, 2001
Preliminary Product Specification
Features
• Fast, High-Density 1.8 V FPGA Family - Densities from 58 k to 4 M system gates - 130 MHz internal performance (four LUT levels) - Designed for low-power operation - PCI compliant 3.3 V, 32/64-bit, 33/ 66-MHz Highly Flexible SelectI/O+™ Technology - Supports 20 high-performance interface standards - Up to 804 singled-ended I/Os or 344 differential I/O pairs for an aggregate bandwi |
Это результат поиска, начинающийся с "1600E", "XCV1600E-6HQ2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1600EXD25 | Toshiba Semiconductor |
ALLOY-FREE RECTIFIER (RECTIFIER APPLICATIONS) |
|
CLV1600E | Z-Communications |
OSCILLATOR
CLV1600E
9939 Via Pasar • San Diego, CA 92126 TEL (858) 621-2700 FAX (858) 621-2722
VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR
Rev A1
PHASE NOISE (1 Hz BW, typical)
FEATURES • Frequency Range: 1565 - 1630 • Tuning Voltage: 0.5-4.5 Vdc • MINI-14MS - Style Packa |
|
DIM1600ECM17-A000 | Dynex |
IGBT Chopper Module Preliminary Information
DIM1600ECM17-A000
IGBT Chopper Module
DS6069-1 September 2011 (LN28672)
FEATURES
10µs Short Circuit Withstand
High Thermal Cycling Capability
Soft Punch Through Silicon
Isolated AlSiC Base with AlN Substrates
Lead Free Construction
AP |
|
IS42RM81600E | ISSI |
128Mb Mobile Synchronous DRAM IS42SM81600E / IS42SM16800E / IS42SM32400E IS42RM81600E / IS42RM16800E / IS42RM32400E
16Mx8, 8Mx16, 4Mx32 128Mb Mobile Synchronous DRAM
FEATURES
• Fully synchronous; all signals referenced to a positive clock edge • Internal bank for hiding row access and precharge • Pro |
|
IS42SM81600E | ISSI |
128Mb Mobile Synchronous DRAM IS42SM81600E / IS42SM16800E / IS42SM32400E IS42RM81600E / IS42RM16800E / IS42RM32400E
16Mx8, 8Mx16, 4Mx32 128Mb Mobile Synchronous DRAM
FEATURES
• Fully synchronous; all signals referenced to a positive clock edge • Internal bank for hiding row access and precharge • Pro |
|
IS42VM81600E | ISSI |
128Mb Mobile Synchronous DRAM IS42VM81600E / IS42VM16800E / IS42VM32400E IS45VM81600E / IS45VM16800E / IS45VM32400E
16Mx8, 8Mx16, 4Mx32 128Mb Mobile Synchronous DRAM
FEATURES • Fully synchronous; all signals referenced to a
positive clock edge • Internal bank for hiding row access and pre-
charge • |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |