DataSheet26.com


XCV1600E-6HQ240I даташит

Функция этой детали – «Virtex-e 1.8 V Field Programmable Gate Arrays».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
XCV1600E-6HQ240I Xilinx
Xilinx
  Virtex-E 1.8 V Field Programmable Gate Arrays

0 R Virtex™-E 1.8 V Field Programmable Gate Arrays 0 0 DS022-1 (v2.2) November 9, 2001 Preliminary Product Specification Features • Fast, High-Density 1.8 V FPGA Family - Densities from 58 k to 4 M system gates - 130 MHz internal performance (four LUT levels) - Designed for low-power operation - PCI compliant 3.3 V, 32/64-bit, 33/ 66-MHz Highly Flexible SelectI/O+™ Technology - Supports 20 high-performance interface standards - Up to 804 singled-ended I/Os or 344 differential I/O pairs for an aggregate bandwi
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "1600E", "XCV1600E-6HQ2"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1600EXD25 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

ALLOY-FREE RECTIFIER (RECTIFIER APPLICATIONS)

pdf
CLV1600E Z-Communications
Z-Communications

OSCILLATOR

CLV1600E 9939 Via Pasar • San Diego, CA 92126 TEL (858) 621-2700 FAX (858) 621-2722 VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR Rev A1 PHASE NOISE (1 Hz BW, typical) FEATURES • Frequency Range: 1565 - 1630 • Tuning Voltage: 0.5-4.5 Vdc • MINI-14MS - Style Packa
pdf
DIM1600ECM17-A000 Dynex
Dynex

IGBT Chopper Module

Preliminary Information DIM1600ECM17-A000 IGBT Chopper Module DS6069-1 September 2011 (LN28672) FEATURES  10µs Short Circuit Withstand  High Thermal Cycling Capability  Soft Punch Through Silicon  Isolated AlSiC Base with AlN Substrates  Lead Free Construction AP
pdf
IS42RM81600E ISSI
ISSI

128Mb Mobile Synchronous DRAM

IS42SM81600E / IS42SM16800E / IS42SM32400E IS42RM81600E / IS42RM16800E / IS42RM32400E 16Mx8, 8Mx16, 4Mx32 128Mb Mobile Synchronous DRAM FEATURES • Fully synchronous; all signals referenced to a positive clock edge • Internal bank for hiding row access and precharge • Pro
pdf
IS42SM81600E ISSI
ISSI

128Mb Mobile Synchronous DRAM

IS42SM81600E / IS42SM16800E / IS42SM32400E IS42RM81600E / IS42RM16800E / IS42RM32400E 16Mx8, 8Mx16, 4Mx32 128Mb Mobile Synchronous DRAM FEATURES • Fully synchronous; all signals referenced to a positive clock edge • Internal bank for hiding row access and precharge • Pro
pdf
IS42VM81600E ISSI
ISSI

128Mb Mobile Synchronous DRAM

IS42VM81600E / IS42VM16800E / IS42VM32400E IS45VM81600E / IS45VM16800E / IS45VM32400E 16Mx8, 8Mx16, 4Mx32 128Mb Mobile Synchronous DRAM FEATURES • Fully synchronous; all signals referenced to a positive clock edge • Internal bank for hiding row access and pre- charge •
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты