|
X13001 даташитФункция этой детали – «3mm Smt Single-turn Trimmer Type 3303w». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
X13001 | EDCON-COMPONENTS |
3mm SMT Single-Turn Trimmer Type 3303W Technical Specification Electrical Characteristics Standard Resistance Range: 100Ω ~ 1,0MΩ Resistance Tolerance: +/-25% Standard Absolute Minimum Resistance: ≤2% Contact Resistance Variation : ≤5% Insulation Resistance: Infinite Adjustment Angle: 260° normal Environmental Characteristics Power Rating: (50VDC max. ) 0,15W @ 70°C Temperature Range: -40°C to +125°C Temperature Coeffizient: +/-250ppm/°C Soldering Heat: 260°C, 10seconds Humidity: 90% RH 500HRS Endurance: @ 70°C, 500H, ∆R ≤5% Rotational Lif |
Это результат поиска, начинающийся с "13001", "X13" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
13001 | Elite |
NPN Epitaxial Silicon Transistor 13001 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Features
Collector-Emitter Voltage: VCEO= 400V Collector Dissipation: PC(max)= 1000mW
TO-126
Absolute Maximum Ratings (TA=25oC)
Characteristic Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Collect |
|
13001S | ETC |
D13001S R
µÍÆ·Å´ó»¾³¶î¨ÄË«¼Ð§Ìå¹Ü
D13001S
²úÆ·ÌØÐÔ
¡ô ¡ô
¸ßÄÍѹ ¸ßµçÁ÷ÈÝ¿
¡ô ¡ô ¡ô
¸ß¿ª¹ØËÙ¶È ¸ß¿ÉÐÔ »·±£¨ RoHS£©²úÆ·
Ö÷ÒªÓÃ;
¡ô ¡ô ¡ô ¡ô ¡ô
½ÚÄÜµÆ µç× |
|
13001S | ETC |
Environmental rated frequency amplification bipolar transistor R
µÍÆ·Å´ó»¾³¶î¨ÄË«¼Ð§Ìå¹Ü
D13001S
²úÆ·ÌØÐÔ
¡ô ¡ô
¸ßÄÍѹ ¸ßµçÁ÷ÈÝ¿
¡ô ¡ô ¡ô
¸ß¿ª¹ØËÙ¶È ¸ß¿ÉÐÔ »·±£¨ RoHS£©²úÆ·
Ö÷ÒªÓÃ;
¡ô ¡ô ¡ô ¡ô ¡ô
½ÚÄÜµÆ µç× |
|
3DD13001 | Jiangsu Changjiang Electronics |
TRANSISTOR JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
3DD13001
TRANSISTOR£¨NPN £©
TO¡ª 92
FEATURES Power dissipation PCM : 1.25 W£¨ Tamb=25¡æ£© Collector current ICM : 0.2 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 6 |
|
3DD13001 | TRANSYS Electronics |
Plastic-Encapsulated Transistors Transys
Electronics
L I M I T E D
TO-251 Plastic-Encapsulated Transistors
3DD13001
FEATURES Power dissipation PCM: 1.2 W (Tamb=25℃)
1. BASE 2. COLLECTOR 3EMITTER
TRANSISTOR (NPN)
TO-251
datasheet.esom
Collector current ICM: 0.2 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 600 V Ope |
|
3DD13001 | SeCoS |
NPN Plastic-Encapsulated Transistor 3DD13001
Elektronische Bauelemente 0.2A , 600V NPN Plastic-Encapsulated Transistor
RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
FEATURES
Power switching applications
A
TO-92
D B
CLASSIFICATION OF hFE(1)
Product-Rank Range 3DD13001-A 17~23 3DD13001 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |