![]() |
X06FF5 даташитФункция этой детали – «(x06ff3 / X06ff5) Rectifiers». |
Показать результаты поиска |

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
X06FF5 | ![]() ETC |
(X06FF3 / X06FF5) Rectifiers 600 V - 1,000 V Rectifiers
0.5 A - 1.0 A Forward Current 30 ns - 50 ns Recovery Time
AXIAL LEADED HERMETICALLY SEALED
X06FF3 X10FF3 X06FF5 X10FF5
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS
Part Working Number Reverse Voltage Average Rectified Current Reverse Current @ Vrwm (Ir) Forward Voltage 1 Cycle Repetitive Reverse Surge Surge Recovery Current Current Time tp=8.3ms (3) (Ifsm) (Ifrm) (Trr) 25°C Amps 25°C Amps 25°C ns Thermal Impedance Junction Cap. @50VDC @ 1kHZ (Cj) 25°C pF
VrS wm ) e e t 4(Io ) . c o |
![]() |
Это результат поиска, начинающийся с "06FF5", "X06" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
12065C104KAT2A | ![]() AVX Corporation |
High Voltage Chips X7R Dielectric
General Specifications
X7R formulations are called “temperature stable” ceramics and fall into EIA Class II materials. X7R is the most popular of these intermediate dielectric constant materials. Its temperature variation of capacitance is within ±15% from -55 |
![]() |
12065Cxxxx | ![]() AVX Corporation |
High Voltage Chips X7R Dielectric
General Specifications
X7R formulations are called “temperature stable” ceramics and fall into EIA Class II materials. X7R is the most popular of these intermediate dielectric constant materials. Its temperature variation of capacitance is within ±15% from -55 |
![]() |
1N1065 | ![]() Microsemi Corporation |
SILICON POWER RECTIFIER ( DataSheet : )
|
![]() |
1N1065 | ![]() Solid State |
SILICON POWER RECTIFIER |
![]() |
1N2065 | ![]() Digitron Semiconductors |
HIGH POWER RECTFIERS 1N2054-1N2068
High-reliability discrete products and engineering services since 1977
HIGH POWER RECTFIERS
FEATURES Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number. Available as non-RoHS (Sn/Pb pl |
![]() |
1N3065 | ![]() Central |
(1N3xxx) Silicon Diodes Silicon Diodes DO-35 Case
Switching Diodes
TYPE NO. VRRM (V) MAX 100 100 75 75 75 75 50 40 75 100 50 75 40 75 35 70 100 100 100 100 75 50 80 IO (mA) MAX 150 150 75 75 75 75 200 150 150 150 200 150 150 150 150 200 150 150 150 150 150 200 200 VF (V) MAX 1.0 1.0 1.0 0.85 1.0 1.0 1.0 |
![]() |
[1]  
Последние обновления

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | ![]() Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
![]() |
NE555 | ![]() ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
![]() |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |