|
WMS128K8L даташитФункция этой детали – «PDF». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
WMS128K8-xxx | White Electronic Designs |
128Kx8 MONOLITHIC SRAM
White Electronic Designs
FEATURES
n Access Times 70, 85, 100, 120ns n Revolutionary, Center Power/Ground Pinout JEDEC Approved • 32 lead Ceramic SOJ (Package 101) n Evolutionary, Corner Power/Ground Pinout JEDEC Approved • 32 pin Ceramic DIP (Package 300) • 32 lead Ceramic SOJ (Package 101) • 32 lead Ceramic Flat Pack (Package 206)
WMS128K8-XXX
128Kx8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-96691
n MIL-STD-883 Compliant Devices Available n Commercial, Industrial and Military Temperature Range n 5 Volt P |
Это результат поиска, начинающийся с "128K", "WMS128K8-" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
ACT-E128K32C-120F2C | Aeroflex Circuit Technology |
ACT-E128K32 High Speed 4 Megabit EEPROM Multichip Module ACT–E128K32 High Speed 4 Megabit EEPROM Multichip Module
Features
Package ■ Organized as 128K x 32
● User
CIRCUIT TECHNOLOGY
www.aeroflex.com
■ 4 Low Power 128K x 8 EEPROM Die in One MCM ■ Packaging – Hermetic Ceramic
Configurable to 256K x 16 or 512K x 8
■ CMOS |
|
ACT-E128K32C-120F2I | Aeroflex Circuit Technology |
ACT-E128K32 High Speed 4 Megabit EEPROM Multichip Module ACT–E128K32 High Speed 4 Megabit EEPROM Multichip Module
Features
Package ■ Organized as 128K x 32
● User
CIRCUIT TECHNOLOGY
www.aeroflex.com
■ 4 Low Power 128K x 8 EEPROM Die in One MCM ■ Packaging – Hermetic Ceramic
Configurable to 256K x 16 or 512K x 8
■ CMOS |
|
ACT-E128K32C-120F2M | Aeroflex Circuit Technology |
ACT-E128K32 High Speed 4 Megabit EEPROM Multichip Module ACT–E128K32 High Speed 4 Megabit EEPROM Multichip Module
Features
Package ■ Organized as 128K x 32
● User
CIRCUIT TECHNOLOGY
www.aeroflex.com
■ 4 Low Power 128K x 8 EEPROM Die in One MCM ■ Packaging – Hermetic Ceramic
Configurable to 256K x 16 or 512K x 8
■ CMOS |
|
ACT-E128K32C-120F2Q | Aeroflex Circuit Technology |
ACT-E128K32 High Speed 4 Megabit EEPROM Multichip Module ACT–E128K32 High Speed 4 Megabit EEPROM Multichip Module
Features
Package ■ Organized as 128K x 32
● User
CIRCUIT TECHNOLOGY
www.aeroflex.com
■ 4 Low Power 128K x 8 EEPROM Die in One MCM ■ Packaging – Hermetic Ceramic
Configurable to 256K x 16 or 512K x 8
■ CMOS |
|
ACT-E128K32C-120F2T | Aeroflex Circuit Technology |
ACT-E128K32 High Speed 4 Megabit EEPROM Multichip Module ACT–E128K32 High Speed 4 Megabit EEPROM Multichip Module
Features
Package ■ Organized as 128K x 32
● User
CIRCUIT TECHNOLOGY
www.aeroflex.com
■ 4 Low Power 128K x 8 EEPROM Die in One MCM ■ Packaging – Hermetic Ceramic
Configurable to 256K x 16 or 512K x 8
■ CMOS |
|
ACT-E128K32C-120P3C | Aeroflex Circuit Technology |
ACT-E128K32 High Speed 4 Megabit EEPROM Multichip Module ACT–E128K32 High Speed 4 Megabit EEPROM Multichip Module
Features
Package ■ Organized as 128K x 32
● User
CIRCUIT TECHNOLOGY
www.aeroflex.com
■ 4 Low Power 128K x 8 EEPROM Die in One MCM ■ Packaging – Hermetic Ceramic
Configurable to 256K x 16 or 512K x 8
■ CMOS |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |