|
W9NB80 даташит PDFЭто Stw9nb80. На странице результатов поиска W9NB80 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| W9NB80 |  STMicroelectronics |
STW9NB80 ®
STW9NB80
N-CHANNEL 800V - 0.85Ω - 9.3A - TO-247 PowerMESH™ MOSFET
TYPE STW 9NB80
s s s s s s
V DSS 800 V
R DS(on) <1Ω
ID 9.3 A
TYPICAL RDS(on) = 0.85 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED
1
3 2
DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout c |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "9NB80", "W9N" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| STU9NB80 | STMicroelectronics |
N-channel Power MOSFET ®
STU9NB80
N-CHANNEL 800V - 0.85Ω - 9.3A - TO-247 PowerMESH™ MOSFET
TYPE STU9NB80
s s s s s
V DSS 800 V
R DS(on) <1Ω
ID 9 A
s TYPICAL RDS(on)
= 0.85 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED VE |
 |
| STW9NB80 |  ST Microelectronics |
N-CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET ®
STW9NB80
N-CHANNEL 800V - 0.85Ω - 9.3A - TO-247 PowerMESH™ MOSFET
TYPE STW 9NB80
s s s s s s
V DSS 800 V
R DS(on) <1Ω
ID 9.3 A
TYPICAL RDS(on) = 0.85 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC C |
|
| 04980900ZXT |  Fusit |
FUSE HOLDER FUSIT Series: FH-04980900ZXT
FUSE HOLDER FOR MIDI® /BF1 STYLE FUSE
Dimensions
Dimensions in mm
(2) 3.81
M5 torque: 4-5Nm
Description
Use with BF1 /MIDI ® fuses up to 200A. Includes protective cover. Features interconnecting pins on side of fuse block for secure multiple blo |
|
| 1N2980 |  America Semiconductor |
(1N2970 - 1N2999) 10W Zener Diodes Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
|
|
| 1N2980 |  New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 16V 20% 10W 2-Pin DO-4 |
|
| 1N2980A | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 16V 10% 10W 2-Pin DO-4 |
|
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
введение сайта
|
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |