DataSheet26.com


W9NB80 даташит PDF

Это Stw9nb80. На странице результатов поиска W9NB80 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей.



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
W9NB80 STMicroelectronics
STMicroelectronics
  STW9NB80

® STW9NB80 N-CHANNEL 800V - 0.85Ω - 9.3A - TO-247 PowerMESH™ MOSFET TYPE STW 9NB80 s s s s s s V DSS 800 V R DS(on) <1Ω ID 9.3 A TYPICAL RDS(on) = 0.85 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED 1 3 2 DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout c
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "9NB80", "W9N"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
STU9NB80 STMicroelectronics
STMicroelectronics

N-channel Power MOSFET

® STU9NB80 N-CHANNEL 800V - 0.85Ω - 9.3A - TO-247 PowerMESH™ MOSFET TYPE STU9NB80 s s s s s V DSS 800 V R DS(on) <1Ω ID 9 A s TYPICAL RDS(on) = 0.85 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED VE
pdf
STW9NB80 ST Microelectronics
ST Microelectronics

N-CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET

® STW9NB80 N-CHANNEL 800V - 0.85Ω - 9.3A - TO-247 PowerMESH™ MOSFET TYPE STW 9NB80 s s s s s s V DSS 800 V R DS(on) <1Ω ID 9.3 A TYPICAL RDS(on) = 0.85 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC C
pdf
04980900ZXT Fusit
Fusit

FUSE HOLDER

FUSIT Series: FH-04980900ZXT FUSE HOLDER FOR MIDI® /BF1 STYLE FUSE Dimensions Dimensions in mm (2) 3.81 M5 torque: 4-5Nm Description Use with BF1 /MIDI ® fuses up to 200A. Includes protective cover. Features interconnecting pins on side of fuse block for secure multiple blo
pdf
1N2980 America Semiconductor
America Semiconductor

(1N2970 - 1N2999) 10W Zener Diodes

Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/ Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
pdf
1N2980 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode Zener Single 16V 20% 10W 2-Pin DO-4

pdf
1N2980A New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode Zener Single 16V 10% 10W 2-Pin DO-4

pdf

[1]   





Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

введение сайта

Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении.

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J    K    L  

  M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты