![]() |
W20NM60 даташитФункция этой детали – «Stw20nm60». |
Показать результаты поиска |

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
W20NM60 | ![]() ST Microelectronics |
STW20NM60 www.DataSheet4U.net
N-CHANNEL 600V - 0.26Ω - 20A TO-247 MDmesh™Power MOSFET
TYPE STW20NM60
n n n n n n
STW20NM60
VDSS 600V
RDS(on) < 0.29 Ω
ID 20 A
TYPICAL RDS(on) = 0.26Ω HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES 100% AVALANCHE TESTED LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE CHARGE LOW GATE INPUT RESISTANCE TIGHT PROCESS CONTROL AND HIGH MANUFACTURING YIELDS
3 2 1
TO-247
DESCRIPTION The MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET technology that associates the Multiple Drain process with the Company’s PowerMESH™ hor |
![]() |
W20NM60FD | ![]() ST Microelectronics |
STW20NM60FD STP20NM60FD - STF20NM60D STW20NM60FD
N-CHANNEL 600V - 0.26Ω - 20A TO-220/TO-220FP/TO-247 FDmesh™ POWER MOSFET (with FAST DIODE)
TYPE STP20NM60FD STF20NM60D STW20NM60FD
n n n n
VDSS 600 V 600 V 600 V
RDS(on) < 0.29 Ω < 0.29 Ω < 0.29 Ω
ID 20 A 20 A 20 A
Pw 192 W 45 W 214 W
3 1 2
n n
TYPICAL RDS(on) = 0.26Ω HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES 100% AVALANCHE TESTED LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE CHARGE LOW GATE INPUT RESISTANCE TIGHT PROCESS CONTROL AND HIGH MANUFACTURING YIELDS
TO-220
TO-220FP
3 2 1
|
![]() |
[1]  
Последние обновления

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | ![]() Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
![]() |
NE555 | ![]() ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
![]() |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |