|
V290BJ1-LE1 даташит PDFЭто Tft Lcd Module. На странице результатов поиска V290BJ1-LE1 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| V290BJ1-LE1 |  CHIMEI Innolux |
TFT LCD Module Global LCD Panel Exchange Center
www.panelook.com
PRODUCT SPECIFICATION
ϭ Tentative Specification ϭ Preliminary Specification Ϯ Approval Specification
MODEL NO.: V290BJ1 SUFFIX: LE1
Customer:
APPROVED BY
SIGNATURE
Name / Title Note
Please return 1 copy for your confirmation with your signature and comments.
Approved By Chao-Chun Chung
Checked By Vincent Chou
Prepared By Apple Wen
Version 2.0
1 The copyright belongs to CHIMEI InnoLux. Any unauthorized use is prohibited
DateΚ15 May 2012
One step solution f |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "290BJ1", "V290BJ1-" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| V290BJ1-PE1 | CHIMEI Innolux |
TFT LCD Module Global LCD Panel Exchange Center
www.panelook.com
WZKhd ^W /&/ d/KE
ϭ dĞŶƚĂƚŝǀĞ ^ƉĞĐŝĨŝĐĂƚŝŽŶ ϭ WƌĞůŝŵŝŶĂƌLJ ^ƉĞĐŝĨŝĐĂƚŝŽŶ Ϯ ƉƉƌŽǀĂů ^ƉĞĐŝĨŝĐĂƚŝŽŶ
DK > EK͗͘ sϮϵϬ:ϭ
^h&&/y͗ W ϭ
ƵƐƚŽŵĞƌ͗
WWZ |
 |
| 2SC2901 |  NEC |
NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| 2SC2901 |  SEMTECH |
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor ST 2SC2901
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for general purpose amplifier and high speed switching applications.
The transistor is subdivided into two groups L and K, according to its DC current gain.
On special request, these transistors can be manufactured in different p |
|
| 2SC2901 |  Bluecolour |
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor 2SC2901 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
for general purpose amplifier and high speed switching applications.
The transistor is subdivided into two groups L and K, according to its DC current gain.
On special request, these transistors can be manufactured in different pin |
|
| 2SC2901 |  PACO |
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor ST 2SC2901
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
for general purpose amplifier and high speed switching applications.
The transistor is subdivided into two groups L and K, according to its DC current gain.
On special request, these transistors can be manufactured in differen |
|
| 2SK2901-01L |  Fuji Electric |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET 2SK2901-01L,S
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
Features
High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof
T-Pack(L)
FUJI POWER MOS-FET
T-Pack(S)
10 +0.5
0.9 ±0.3
4.5 ±0.2 1.32
1.5 Max
9.3 ±0.5
1.2 ±0.2
0.8 —0.1 5.08 2.7
+ |
|
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
введение сайта
|
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |