|
UPC1857ACT даташитФункция этой детали – «Sound Control IC With Surround And I2c Bus». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
UPC1857ACT | NEC |
SOUND CONTROL IC WITH SURROUND AND I2C BUS DATA SHEET
BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT
µPC1857A
2
SOUND CONTROL IC WITH SURROUND AND I C BUS
DESCRIPTION
The µPC1857A is a sound control IC with I2C bus. It has functions to control volume, balance, and tone, and a phase shift matrix surround function. The surround function achieves wide sound expansion using only two front speakers. Three modes can be selected: movie mode that increases the presence of sound with stereo sound input, music mode emphasizing vocal music, and simulated mode that gives expansion |
Это результат поиска, начинающийся с "1857ACT", "UPC1857" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA1857 | Sanyo Semicon Device |
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Ordering number:EN4644
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SA1857
FM, RF, MIX, IF Amplifier High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
Features
· High power gain : PG=25dB typ (f=100MHz). · High cutoff frequency : fT=750MHz typ. · Low collector-to-emitter sat |
|
2SD1857 | ROHM Semiconductor |
Power Transistor Transistors
2SB1236 / 2SB1186 2SC4132 / 2SD1857 / 2SD2343 / 2SD1763
(94L-268-A56)
(96-175-C56)
276
|
|
2SD1857 | Inchange Semiconductor |
Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION ·High breakdown voltage. (BVCEO = 120V) ·Low collector output capacitance. ·High transition frequency. (fT = 50MHz) ·Complement to Type 2SB1236
APPLICATIONS ·Designed for audio amplifier,
voltage regulator, |
|
2SD1857 | Unisonic Technologies |
POWER TRANSISTOR UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD1857
POWER TRANSISTOR
FEATURES
* High breakdown voltage.(BVCEO=120V) * Low collector output capacitance.(Typ.20pF at VCB=10V) * High transition frequency.(fT=80MHz)
NPN SILICON TRANSISTOR
1 TO-92
1 TO-92NL
*Pb-free plating product number: 2SD |
|
2SD1857A | ROHM Semiconductor |
Power Transistor (160V / 1.5A) 2SD2211 / 2SD1918 / 2SD1857A
Transistors
Power Transistor (160V , 1.5A)
2SD2211 / 2SD1918 / 2SD1857A
!Features 1) High breakdown voltage.(BVCEO = 160V) 2) Low collector output capacitance. (Typ. 20pF at VCB = 10V) 3) High transition frequency.(fT = 80MHZ) 4) Complements the 2SB1 |
|
2SD1857A | ROHM Semiconductor |
POWER TRANSISTOR 2SD2211 / 2SD1918 / 2SD1857A
Transistors
Power Transistor (160V , 1.5A)
2SD2211 / 2SD1918 / 2SD1857A
!Features 1) High breakdown voltage.(BVCEO = 160V) 2) Low collector output capacitance. (Typ. 20pF at VCB = 10V) 3) High transition frequency.(fT = 80MHZ) 4) Complements the 2SB1 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |