DataSheet26.com


UFR3150 даташит

Функция этой детали – «Ultra Fast Recovery Rectifiers».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
UFR3150 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
  Ultra Fast Recovery Rectifiers

20 STERN AVE. SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 U.S.A. One.. TELEPHONE: (201) 376-2922 (212) 227-6005 FAX: (201) 376-8960 Ultra Fast Recovery Rectifiers UFR30, 31 & 32 ^Hpi Dim. Inches Millimeter Minimum Maximum Minimum Maximum Notes -I'I- P if 0 Not**: III I —T 1. 10-32 UNF3A threads I) nrHfn—T ? 2- Fuil threads within 2 1/2 .^••Ef ^ —*^ 1=3 F Stud Is Cathode Reverse Polarity: Stud L Is Anode Working Peak Peak Reverse Number Reverse Voltage Voltage UFR3005* 50V 50V UFR3010* 100V 100V UF
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "3150", "UFR3"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1S3150A MSI Electronics
MSI Electronics

(1S31xxA) VARACTOR DIODE

DataSheet 4 U .com
pdf
23150 C&DTechnologies
C&DTechnologies

BobbinWoundSurfaceMountInductors

pdf
2SC3150 Mospec Semiconductor
Mospec Semiconductor

POWER TRANSISTORS(3A/800V/50W)

A A A
pdf
2SC3150 Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device

For Switching Regulator

Ordering number:EN1069C NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC3150 800V/3A Switching Regulator Applications Features · High breakdown voltage (VCBO≥900V). · Fast switching speed. · Wide ASO. Package Dimensions unit:mm 2010C [2SC3150] JEDEC
pdf
2SC3150 SavantIC
SavantIC

SILICON POWER TRANSISTOR

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3150 DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High breakdown voltage : VCBO=900V(Min) ·Fast switching speed. ·Wide ASO (Safe Operating Area) APPLICATIONS ·800V/3A switching regula
pdf
2SK3150 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK3150(L), 2SK3150(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-750A (Z) 2nd. Edition February 1999 Features • Low on-resistance R DS = 45 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline LDPAK 4 4 D 1 1
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты