|
UFR3150 даташитФункция этой детали – «Ultra Fast Recovery Rectifiers». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
UFR3150 | New Jersey Semiconductor |
Ultra Fast Recovery Rectifiers 20 STERN AVE.
SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081
U.S.A.
One..
TELEPHONE: (201) 376-2922 (212) 227-6005
FAX: (201) 376-8960
Ultra Fast Recovery Rectifiers
UFR30, 31 & 32
^Hpi
Dim. Inches
Millimeter
Minimum Maximum Minimum Maximum Notes
-I'I-
P if
0 Not**:
III I —T
1. 10-32 UNF3A threads
I) nrHfn—T ?
2- Fuil threads within 2 1/2
.^••Ef ^ —*^
1=3
F Stud Is Cathode Reverse Polarity: Stud
L Is Anode
Working Peak
Peak Reverse
Number
Reverse Voltage
Voltage
UFR3005*
50V 50V
UFR3010*
100V
100V
UF |
Это результат поиска, начинающийся с "3150", "UFR3" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1S3150A | MSI Electronics |
(1S31xxA) VARACTOR DIODE
DataSheet 4 U .com
|
|
23150 | C&DTechnologies |
BobbinWoundSurfaceMountInductors |
|
2SC3150 | Mospec Semiconductor |
POWER TRANSISTORS(3A/800V/50W) A
A
A
|
|
2SC3150 | Sanyo Semicon Device |
For Switching Regulator Ordering number:EN1069C
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC3150
800V/3A Switching Regulator Applications
Features
· High breakdown voltage (VCBO≥900V). · Fast switching speed. · Wide ASO.
Package Dimensions
unit:mm 2010C
[2SC3150]
JEDEC |
|
2SC3150 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2SC3150
DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High breakdown voltage : VCBO=900V(Min) ·Fast switching speed. ·Wide ASO (Safe Operating Area) APPLICATIONS ·800V/3A switching regula |
|
2SK3150 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 2SK3150(L), 2SK3150(S)
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
ADE-208-750A (Z) 2nd. Edition February 1999 Features
• Low on-resistance R DS = 45 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
LDPAK
4 4
D
1 1
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |