|
UDN2987X-6 даташитФункция этой детали – «DabIC-5 8-channel Source Driver». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
UDN2987X-6 | Allegro MicroSystems |
DABIC-5 8-Channel Source Driver UDN2987x-6
DABIC-5 8-Channel Source Driver with Overcurrent Protection
Package A, 20-pin DIP
Package LW, 20-pin SOIC-W
Approximate Scale 1:1
Features
4.75 to 35 V driver supply voltage Output enable-disable (OE/R) 350 mA output source current Overcurrent protected Internal ground clamp diodes Output Breakdown Voltage 35 V minimum TTL, DTL, PMOS, or CMOS compatible inputs Internal Thermal Shut Down (TSD)
Applications
Relays Motors Solenoids LEDs Incandescent lamps
Typical Application
CPU
IN1 IN2 IN3 IN4 IN5 IN6 I |
Это результат поиска, начинающийся с "2987X", "UDN2987" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N2987 | America Semiconductor |
(1N2970 - 1N2999) 10W Zener Diodes Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
|
|
1N2987 | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 25V 20% 10W 2-Pin DO-4 |
|
1N2987A | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 25V 10% 10W 2-Pin DO-4 |
|
1N2987B | Microsemi Corporation |
Silicon 10 WATT Zener Diodes |
|
1N2987B | Digitron Semiconductors |
10 WATT ZENER DIODES 1N2970-1N3015B, 1N3993-1N4000A
High-reliability discrete products and engineering services since 1977
10 WATT ZENER DIODES
FEATURES Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number. Available as n |
|
1N2987B | Naina Semiconductor |
(1N2970B - 1N3015B) 10 WATT ZENER DIODES Datasheet.es
Naina Semiconductor emiconductor Ltd.
Zener Diodes
Electrical Characteristics (TC = 25OC unless otherwise specified) Nominal Zener Voltage VZ@IZT (Volts) 6.8 7.5 8.2 9.1 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 25 27 30 33 36 39 43 45 47 50 51 52 56 62 68 75 82 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |