|
UBA2013L даташитФункция этой детали – «Hb Driver IC». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
UBA2013L | Philips |
HB driver IC UBA2013/L3
HB driver IC with PFC for fluorescent rings
Rev. 00.01 — 23 February 2007 Preliminary data sheet
1. General description
The UBA2013/L3 is a high voltage IC intended to drive and control fluorescent lamps. The IC can handle both cold and warm ignition of the lamp. It contains a TON-controlled PFC function, a half bridge controller circuit with level shifter and an internal bootstrap diode to drive an external half bridge. UBA2013/L3 also offers a functionality to properly handle fault conditions such as cap |
Это результат поиска, начинающийся с "2013L", "UBA20" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
HT2013L | Holtek Semiconductor |
(HT201xx) One Lamp/LED Flash Driver
HT201XX One Lamp/LED Flash Driver
Features
• • • • • • • • •
CMOS Metal-Gate Process Technology Operating voltage: 1.2V~4.5V Low standby current: 1µA Typ. at 3V Built-in oscillator (FOSC: 32KHz) ON/OFF control function for the HT2013H, HT2 |
|
02013Rxxxx | Skywell Technology |
SUrface Mount Ceramic Capacitor
Surface Mount Ceramic Capacitor
FEATURES • Ultra Stable TCC of 0±30ppm • Excellent Hi-F Performance • Low Dissipation Factor • Ideal for Timed RC Circuits and Critical Tuning Applications QUICK REFERENCE DATA DESCRIPTION Rated Voltage UR (DC): NP0 Di |
|
2SA2013 | Sanyo Semicon Device |
DC/DC Converter Applications Ordering number:ENN6307A
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA2013/2SC5566
DC/DC Converter Applications
Applications
· Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes.
Package Dimensions
unit:mm 2038A
[2SA2013/2SC5566]
4.5 1.6 1.5
Features
· Adoption of FBET |
|
2SK2013 | Toshiba Semiconductor |
Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
2SK2013
2SK2013
Audio Frequency Power Amplifier Application
z High breakdown voltage z High forward transfer admittance z Complementary to 2SJ313
: VDSS = 180V : |Yfs| = 0.7 S (typ.)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 |
|
AG201344 | Panasonic |
Signal relay ୋܹ࢘ܩÅ౭຺dzȇȵǸ
FF$Åഽ႕P:Ȳȴà
LQGXVWULDOSDQDVRQLFFRPDF
1
F 3DQDVRQLF&RUSRUDWLRQ
$6&7%-Å'
șȒȅȓȋǷېৼٯÅୋܹ࢘ূܩ
ÅLQGXVWULDOSDQDVRQLFFRPDF
2
F 3DQDVRQL |
|
AGP2013 | Matsushita |
(AGP201x) DSP Relay |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |