|
|
|
|
На странице результатов поиска UA703 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
UA703 даташит PDF |
| Номер в каталоге | Описание | Производители | ||
| 1 | UA703 | RF-IF Amplifier |
 Fairchild Semiconductor |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "U" |
| Номер в каталоге | Описание | Производители | |
| U16C30 | POWER RECTIFIERS(16A/300-600V) |
 Mospec Semiconductor |
 |
| U16C30D | (U16C05 - U16C60) 16.0 Ampere Glass Passivated Junction Ultrafast Recovery Rectifiers U16C05 thru U16C60
®
Pb Free Plating Product
U16C05 thru U16C60
TO-220AB
.419(10.66) .387(9.85) .139(3.55) MIN
Pb
16.0 Ampere Glass Passivated Junction Ultrafast Recovery Rectifiers
Features Fast switching for high efficiency Low forward voltage drop High current capability |
 Thinki Semiconductor |
|
| U16C90 | POWER RECTIFIERS(16A/700-1000V) |
Mospec Semiconductor |
|
| U1FWJ44N | HIGH SPEED RECTIFIER APPLICATIONS U1FWJ44N
TOSHIBA SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER SCHOTTKY BARRIER TYPE
U1FWJ44N
HIGH SPEED RECTIFIER APPLICATIONS
l Low Forward Voltage l Average Forward Current l Repetitive Peak Reverse Voltage : VFM = 0.37V (Max) : IF (AV) = 1.0A : VRRM = 30V Unit: mm
MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C) |
 Toshiba Semiconductor |
|
| U1GC44 | TOSHIBA RECTIFIER SILICON DIFFUSED JUNCTION TYPE U1BC44,U1GC44,U1JC44
TOSHIBA RECTIFIER SILICON DIFFUSED JUNCTION TYPE
U1BC44,U1GC44,U1JC44
FOR HYBRID USE
l Average Forward Current l Repetitive Peak Reverse Voltage l Mini Plastic Mold Package : IF (AV) = 1.0A : VRRM = 100, 400, 600V Unit: mm
MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)
CHARA |
Toshiba Semiconductor |
|
| U1JC44 | TOSHIBA RECTIFIER SILICON DIFFUSED JUNCTION TYPE U1BC44,U1GC44,U1JC44
TOSHIBA RECTIFIER SILICON DIFFUSED JUNCTION TYPE
U1BC44,U1GC44,U1JC44
FOR HYBRID USE
l Average Forward Current l Repetitive Peak Reverse Voltage l Mini Plastic Mold Package : IF (AV) = 1.0A : VRRM = 100, 400, 600V Unit: mm
MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)
CHARA |
Toshiba Semiconductor |
|
| U1ZB11 | CONSTANT VOLTAGE REGULATION TRANSIENT SUPPRESSORS U1ZB6.8~U1ZB390
TOSHIBA ZENER DIODE SILICON DIFFUSED TYPE
U1ZB6.8~U1ZB390
CONSTANT VOLTAGE REGULATION TRANSIENT SUPPRESSORS
l Average Power Dissipation : P = 1.0 W l Zener Voltage : VZ = 6.8~390 V l Surface Mounting Plastic Mold Package Unit: mm
MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)
CHA |
Toshiba Semiconductor |
|
| U1ZB16 | CONSTANT VOLTAGE REGULATION TRANSIENT SUPPRESSORS U1ZB6.8~U1ZB390
TOSHIBA ZENER DIODE SILICON DIFFUSED TYPE
U1ZB6.8~U1ZB390
CONSTANT VOLTAGE REGULATION TRANSIENT SUPPRESSORS
l Average Power Dissipation : P = 1.0 W l Zener Voltage : VZ = 6.8~390 V l Surface Mounting Plastic Mold Package Unit: mm
MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)
CHA |
Toshiba Semiconductor |
|
| U1ZB200-Z | CONSTANT VOLTAGE REGULATION TRANSIENT SUPPRESSORS U1ZB6.8~U1ZB390
TOSHIBA ZENER DIODE SILICON DIFFUSED TYPE
U1ZB6.8~U1ZB390
CONSTANT VOLTAGE REGULATION TRANSIENT SUPPRESSORS
l Average Power Dissipation : P = 1.0 W l Zener Voltage : VZ = 6.8~390 V l Surface Mounting Plastic Mold Package Unit: mm
MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)
CHA |
Toshiba Semiconductor |
|
| U1ZB22 | CONSTANT VOLTAGE REGULATION TRANSIENT SUPPRESSORS U1ZB6.8~U1ZB390
TOSHIBA ZENER DIODE SILICON DIFFUSED TYPE
U1ZB6.8~U1ZB390
CONSTANT VOLTAGE REGULATION TRANSIENT SUPPRESSORS
l Average Power Dissipation : P = 1.0 W l Zener Voltage : VZ = 6.8~390 V l Surface Mounting Plastic Mold Package Unit: mm
MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)
CHA |
Toshiba Semiconductor |
|
Ссылка Поделиться :
Последние обновления
| Номер в каталоге | Описание | Производители | |
| 2N3904 | Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
 Unisonic Technologies |
|
| NE555 | Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
 ST Microelectronics |
|
|
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |