|
U16C30C даташитФункция этой детали – «(u16c05 - U16c60) 16.0 Ampere Glass Passivated Junction». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
U16C30C | Thinki Semiconductor |
(U16C05 - U16C60) 16.0 Ampere Glass Passivated Junction Ultrafast Recovery Rectifiers U16C05 thru U16C60
®
Pb Free Plating Product
U16C05 thru U16C60
TO-220AB
.419(10.66) .387(9.85) .139(3.55) MIN
Pb
16.0 Ampere Glass Passivated Junction Ultrafast Recovery Rectifiers
Features Fast switching for high efficiency Low forward voltage drop High current capability Low reverse leakage current High surge current capability
Application
Unit : inch (mm)
.196(5.00) .163(4.16) .054(1.39) .045(1.15)
.269(6.85) .226(5.75)
.624(15.87) .50(12.7)MIN
Mechanical Data Case: Molded plastic TO-220AB Heatsink Epoxy: UL |
Это результат поиска, начинающийся с "16C30C", "U16C" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1630 | C&D Technologies |
Dual and Quad Data-bus Isolators |
|
1630 | ETC |
UHF Orbital Beam Hexode |
|
1N1630 | American Microsemiconductor |
Diode ( Rectifier ) |
|
2SD1630 | NEC |
NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR |
|
2SK1630 | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK1630
DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS=700V(Min)
APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching
applications such as switching |
|
ADIS16300 | Analog Devices |
Four Degrees of Freedom Inertial Sensor Four Degrees of Freedom Inertial Sensor ADIS16300
FEATURES
14-bit digital gyroscope with digital range scaling ±75°/sec, ±150°/sec, ±300°/sec settings Tri-axis, 14-bit digital accelerometer ±3 g measurement range 13-bit pitch and roll incline calculatio |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |