|
TT2144 даташитФункция этой детали – «(tt2142 - Tt2148) Small Kva 3 Phase Isolation». |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| TT2144 |  TEMCo |
(TT2142 - TT2148) Small kVA 3 Phase Isolation Transformer Small kVA 3 Phase Isolation Transformer
VA: Input Voltage: Output Voltage: Taps: Insulation Class: Impedance: 350, 500, 750, 1000, 1500 2000, 3000 415 Delta 600Y/347 See wiring diagram Class F 155º C 2.5 - 3.5% Phase: Frequency: BIL: Coils: Temp Rise:
TT2142-TT2148
Three-Phase 50 Hz 4 kV Copper N/A
NEMA 1 Enclosure
Full 10 Year Warranty
Feature Highlights 10 Year Warranty UL Listed CSA Approved - Copper windings - 1.5 to 2 week build time - Soldily fixed terminals with standard combination slotted Robertson head sc |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "2144", "TT2" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2SD2144 |  ROHM Semiconductor |
High-current Gain MediumPower Transistor (20V/ 0.5A) Transistors
High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)
2SD2114K / 2SD2144S
FFeatures 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO = 12V (Min.) 3) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) FStructure Epitaxial plana |
 |
| 2SD2144S | ROHM Semiconductor |
High-current Gain MediumPower Transistor (20V/ 0.5A) Transistors
High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)
2SD2114K / 2SD2144S
FFeatures 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO = 12V (Min.) 3) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) FStructure Epitaxial plana |
|
| 2SK2144 |  Hitachi Semiconductor |
Silicon N-Channel MOS FET 2SK2144
Silicon N-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current No Secondary Breakdown Suitable for Switching regulator, DC-DC converter
Outline
TO-220CFM
D G
12 3
1. Gate 2. Dra |
|
| 2SK2144 |  Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS= 600V(Min) ·Fast Switching Speed
APPLICATIONS ·Switching regulators ,DC-DC converter,Motor Control
isc Product Specification
2SK2144
ABSOLUTE |
|
| 42144 |  Micropac Industries |
RADIATION TOLERANT FULL BRIDGE POWER DRIVER HYBRID FOR 3-PHASE BRUSHLESS DC MOTORS PRELIMINARY DATA SHEET
42144
RADIATION TOLERANT FULL BRIDGE POWER DRIVER HYBRID FOR 3-PHASE BRUSHLESS DC MOTORS
Mii
MICROCIRCUITS PRODUCTS DIVISION
Features: • • • • • • • Designed for 100 krad(Si) Total Dose Hermetically Sealed Package 2A Peak Output Current Bu |
|
| AG221444 |  Panasonic |
Signal relay ୋܹ࢘ܩÅ౭຺dzȇȵǸ
FF$Åഽ႕P:Ȳȴà
LQGXVWULDOSDQDVRQLFFRPDF
1
F 3DQDVRQLF&RUSRUDWLRQ
$6&7%-Å'
șȒȅȓȋǷېৼٯÅୋܹ࢘ূܩ
ÅLQGXVWULDOSDQDVRQLFFRPDF
2
F 3DQDVRQL |
|
[1]
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |