|
TMS27C020 даташитФункция этой детали – «262144 By 8-bit Programmable Read-only Memories (rev. C)». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
TMS27C020 | Texas Instruments |
262144 By 8-Bit Programmable Read-Only Memories (Rev. C) |
Это результат поиска, начинающийся с "27C020", "TMS27C" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
27C020 | Advanced Micro Devices |
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS EPROM FINAL
Am27C020
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS EPROM
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS
s Fast access time — Speed options as fast as 55 ns s Low power consumption — 100 µA maximum CMOS standby current s JEDEC-approved pinout — Plug in upgrade of 1 Mbit EPROM — Easy upgrade fro |
|
27C020 | ATMEL Corporation |
2-Megabit 256K x 8 OTP EPROM AT27C020
Features
• Fast Read Access Time - 55 ns • Low Power CMOS Operation •
– 100 µA max. Standby – 25 mA max. Active at 5 MHz JEDEC Standard Packages – 32-Lead 600-mil PDIP – 32-Lead PLCC – 32-Lead TSOP 5V ± 10% Supply High-Reliability CMOS Technology – 2, |
|
AM27C020 | Advanced Micro Devices |
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS EPROM FINAL
Am27C020
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS EPROM
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS
s Fast access time — Speed options as fast as 55 ns s Low power consumption — 100 µA maximum CMOS standby current s JEDEC-approved pinout — Plug in upgrade of 1 Mbit EPROM — Easy upgrade fro |
|
AM27C020-120 | Advanced Micro Devices |
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS EPROM |
|
Am27C020-120DC5 | Advanced Micro Devices |
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS EPROM FINAL
Am27C020
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS EPROM
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS
s Fast access time — Speed options as fast as 55 ns s Low power consumption — 100 µA maximum CMOS standby current s JEDEC-approved pinout — Plug in upgrade of 1 Mbit EPROM — Easy upgrade fro |
|
Am27C020-120DC5B | Advanced Micro Devices |
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS EPROM |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |