|
TMDSEVM6678 даташитФункция этой детали – «PDF». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
TMD0507-2 | Toshiba |
Power GaAs MMIC |
|
TMD0507-2A | Toshiba |
Microwave Power GaAs MMIC |
|
TMD0708-2 | Toshiba Semiconductor |
POWER GAAS MMIC |
|
TMD1013-1 | Toshiba Semiconductor |
MICROWAVE POWER MMIC AMPLIFIER |
|
TMD1013-1-431 | Toshiba |
Microwave Power MMIC Amplifier MICROWAVE POWER MMIC AMPLIFIER
MICROWAVE SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
FEATURES High Power P1dB=33dBm(TYP.) High Power Added Efficiency ηadd=14%(TYP.)
TMD1013-1-431 TMD1013-1-431
High Gain
G1dB=25dB(TYP.)
Operable Frequency : f=10.0-12.0GHz.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25°C) CHARACTERISTICS DRAIN SUPPLY VOLTAGE GATE SUPPLY VOLTAGE INPUT POWER FLANGE TEMPERATURE STORAGE TEMPERATURE SYMBOL VDD VGG Pin Tf Tstg UNIT V V dB °C °C RATINGS 15 -10 7 -30 to +80 -65 to +175
RF PERFORMANCE SPECIFICATIONS (Ta= |
|
TMD1414-2C | Toshiba Semiconductor |
MICROWAVE POWER MMIC AMPLIFIER
MICROWAVE POWER MMIC AMPLIFIER MICROWAVE SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
TMD1414-2C
FEATURES
n HIGH POWER P1dB=34.5dBm at 13.75GHz to 14.5GHz n HIGH GAIN G1dB=26.0dB at 13.75GHz to 14.5GHz n BROAD BAND INTERNALLY MATCHED n HERMETICALLY SEALED PACKAGE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta= 25°C )
CHARACTERISTICS Drain Supply Voltage Gate Supply Voltage Input Power Flange Temperature Storage Temperature SYMBOL VDD VGG Pin Tf Tstg UNIT V V dBm °C °C RATING 10 -10 20 -40 ∼ +90 -65 ∼ +175
RF PERFORMANCE |
|
TMD16N25Z | TRinno |
N-channel MOSFET Features Low gate charge 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification
D-PAK
TMD16N25Z(G)/TMU16N25Z(G)
BVDSS 250V
N-channel MOSFET ID RDS(on) 16A <0.24W
I-PAK
Device TMD16N25Z / TMU16N25Z TMD16N25ZG / TMU16N25ZG
Package D-PAK/I-PAK D-PAK/I-PAK
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage Continuous Drain Current Pulsed Drain Current (Note 1)
TC = 25 ℃ TC = 100 ℃
Single Pulse Avalanche Energy ( |
|
TMD16N25ZG | TRinno |
N-channel MOSFET |
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |