DataSheet26.com


TMDSEVM6678 даташит

Функция этой детали – «PDF».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
TMD0507-2 Toshiba
Toshiba
  Power GaAs MMIC

pdf
TMD0507-2A Toshiba
Toshiba
  Microwave Power GaAs MMIC

pdf
TMD0708-2 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
  POWER GAAS MMIC

pdf
TMD1013-1 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
  MICROWAVE POWER MMIC AMPLIFIER

pdf
TMD1013-1-431 Toshiba
Toshiba
  Microwave Power MMIC Amplifier

MICROWAVE POWER MMIC AMPLIFIER MICROWAVE SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA FEATURES „ „ High Power P1dB=33dBm(TYP.) High Power Added Efficiency ηadd=14%(TYP.) „ „ TMD1013-1-431 TMD1013-1-431 High Gain G1dB=25dB(TYP.) Operable Frequency : f=10.0-12.0GHz. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25°C) CHARACTERISTICS DRAIN SUPPLY VOLTAGE GATE SUPPLY VOLTAGE INPUT POWER FLANGE TEMPERATURE STORAGE TEMPERATURE SYMBOL VDD VGG Pin Tf Tstg UNIT V V dB °C °C RATINGS 15 -10 7 -30 to +80 -65 to +175 RF PERFORMANCE SPECIFICATIONS (Ta=
pdf
TMD1414-2C Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
  MICROWAVE POWER MMIC AMPLIFIER

MICROWAVE POWER MMIC AMPLIFIER MICROWAVE SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA TMD1414-2C FEATURES n HIGH POWER P1dB=34.5dBm at 13.75GHz to 14.5GHz n HIGH GAIN G1dB=26.0dB at 13.75GHz to 14.5GHz n BROAD BAND INTERNALLY MATCHED n HERMETICALLY SEALED PACKAGE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta= 25°C ) CHARACTERISTICS Drain Supply Voltage Gate Supply Voltage Input Power Flange Temperature Storage Temperature SYMBOL VDD VGG Pin Tf Tstg UNIT V V dBm °C °C RATING 10 -10 20 -40 ∼ +90 -65 ∼ +175 RF PERFORMANCE
pdf
TMD16N25Z TRinno
TRinno
  N-channel MOSFET

Features  Low gate charge  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification D-PAK TMD16N25Z(G)/TMU16N25Z(G) BVDSS 250V N-channel MOSFET ID RDS(on) 16A <0.24W I-PAK Device TMD16N25Z / TMU16N25Z TMD16N25ZG / TMU16N25ZG Package D-PAK/I-PAK D-PAK/I-PAK Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current Pulsed Drain Current (Note 1) TC = 25 ℃ TC = 100 ℃ Single Pulse Avalanche Energy (
pdf
TMD16N25ZG TRinno
TRinno
  N-channel MOSFET

pdf

[1]    [2]    [3]    [4]    [5]    [6]    [7]    >>>.....[13] 



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты