|
TLZ11B даташитФункция этой детали – «Small Signal Zener Diodes». |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| TLZ11B |  VISHAY |
Small Signal Zener Diodes TLZ-Series
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Small Signal Zener Diodes
FEATURES
• Very sharp reverse characteristic • Low reverse current level • Very high stability • Low noise • High reliability • AEC-Q101 qualified • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912
PRIMARY CHARACTERISTICS
PARAMETER VZ range nom. Test current IZT VZ specification Int. construction VALUE 2.4 to 56 5 to 20 Pulse current Single UNIT V mA
APPLICATIONS
• Voltage stabilization |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "11B", "TLZ" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 11BS |  SEMTECH |
SILICON PLANAR ZENER DIODES BS Series
SILICON PLANAR ZENER DIODES
Max. 0.45
Max. 1.9
Min. 27.5
Black Cathode Band
Black Part No.
XXX Max. 2.9
Min. 27.5
Glass Case DO-34 Dimensions in mm
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter
Symbol
Value
Power Dissipation
Ptot 500 1)
Junction Temperat |
 |
| 11BSA | SEMTECH |
SILICON PLANAR ZENER DIODES BS Series
SILICON PLANAR ZENER DIODES
Max. 0.45
Max. 1.9
Min. 27.5
Black Cathode Band
Black Part No.
XXX Max. 2.9
Min. 27.5
Glass Case DO-34 Dimensions in mm
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter
Symbol
Value
Power Dissipation
Ptot 500 1)
Junction Temperat |
|
| 11BSB | SEMTECH |
SILICON PLANAR ZENER DIODES BS Series
SILICON PLANAR ZENER DIODES
Max. 0.45
Max. 1.9
Min. 27.5
Black Cathode Band
Black Part No.
XXX Max. 2.9
Min. 27.5
Glass Case DO-34 Dimensions in mm
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter
Symbol
Value
Power Dissipation
Ptot 500 1)
Junction Temperat |
|
| 11BSC | SEMTECH |
SILICON PLANAR ZENER DIODES BS Series
SILICON PLANAR ZENER DIODES
Max. 0.45
Max. 1.9
Min. 27.5
Black Cathode Band
Black Part No.
XXX Max. 2.9
Min. 27.5
Glass Case DO-34 Dimensions in mm
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter
Symbol
Value
Power Dissipation
Ptot 500 1)
Junction Temperat |
|
| 1EDN7511B |  Infineon |
high speed Superjunction MOSFET EiceDRIVER™
1EDN751x/1EDN851x
Features
Fast, Precise, Strong and Compatible • 5 ns slew rate to support high speed Superjunction MOSFET (like CoolMos™ C7) or GaN devices • 19 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching • 8 A sink and 4 A source dri |
|
| 1EDN8511B | Infineon |
high speed Superjunction MOSFET EiceDRIVER™
1EDN751x/1EDN851x
Features
Fast, Precise, Strong and Compatible • 5 ns slew rate to support high speed Superjunction MOSFET (like CoolMos™ C7) or GaN devices • 19 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching • 8 A sink and 4 A source dri |
|
[1]
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |