|
TGS2353 даташитФункция этой детали – «Dc - 18 Ghz High Power Gan Spdt». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
TGS2353 | TriQuint Semiconductor |
DC - 18 GHz High Power GaN SPDT Switch TGS2353
DC – 18 GHz High Power SPDT Switch Applications
•
High Power Switching
Product Features
• • • • • • • Frequency Range: DC – 18 GHz Input Power: up to 10 W Insertion Loss: < 1.5 dB Isolation: -30 dB typical Switching Speed: < 35 ns Control Voltages: 0 V/-40 V from either side of MMIC Dimensions: 1.15 x 1.65 x 0.1 mm
Functional Block Diagram
Vc2 J1 RF In Vc1
2, 7 1 3, 6
4
J2 RF Out1
5
J3 RF Out2
www.DataSheet.net/
General Description
The TriQuint TGS2353 is a Single-Pole, Double-Thro |
Это результат поиска, начинающийся с "2353", "TGS2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N2353 | Semicoa |
(2N2xxx) NPN General Purpose Medium Speed Amplifiers w
w
a D . w
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
w
w
.D w
t a
S a
e h
U 4 t e
.c
m o
w
w
w
.D
a
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
|
|
2SD2353 | Toshiba Semiconductor |
Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTOR TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SD2353
Power Amplifier Applications
2SD2353
Unit: mm
• High DC current gain: hFE = 800 to 3200 • Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (typ.)
Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
|
|
2SK2353 | NEC |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK2353/2SK2354
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
DESCRIPTION
The 2SK2353/2SK2354 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high voltage switching applications. PACKAGE DIMENSIONS
(in millimeters)
10.0 ±0.3. 3. |
|
AK2353B | Asahi Kasei Microsystems |
Integrated Base Band LSI ( DataSheet : )
|
|
CR2353AA | Littelfuse |
Bi-directional Glass passivated junction TO - 220 series SiBOD™
FEATURES
G Bi-directional G Glass passivated junction G High-surge capabilities G Low capacitance G Operation & storage temperature -55°C to 175°C
9.1/ 9.5 10.1/10.3
4.9/ 5.1
MECHANICAL CHARACTERISTICS
G Modified TO-220 Outline G Terminals: Solderabl |
|
CR2353AB | Littelfuse |
Bi-directional Glass passivated junction TO - 220 series SiBOD™
FEATURES
G Bi-directional G Glass passivated junction G High-surge capabilities G Low capacitance G Operation & storage temperature -55°C to 175°C
9.1/ 9.5 10.1/10.3
4.9/ 5.1
MECHANICAL CHARACTERISTICS
G Modified TO-220 Outline G Terminals: Solderabl |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |