|
TDSO1150 даташитФункция этой детали – «Standard 7-segment Display». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
TDSO1150 | Vishay |
Standard 7-Segment Display TDSG1150, TDSG1160, TDSO1150, TDSO1160, TDSY1150, TDSY1160
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Standard 7-Segment Display 7 mm
19235
DESCRIPTION The TDS.11.. series are 7 mm character seven segment LED displays in a very compact package. The displays are designed for a viewing distance up to 3 m and available in four bright colors. The grey package surface and the evenly lighted untinted segments provide an optimum on-off contrast. All displays are categorized in luminous intensity groups. That allows users to asse |
Это результат поиска, начинающийся с "1150", "TDSO1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1150MP | Advanced Power Technology |
150W / 50V / Class C Avionics 1025 - 1150 Mhz 1150MP
150 Watts, 50 Volts, Class C Avionics 1025 - 1150 MHz
GENERAL DESCRIPTION
The 1150MP is a COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for pulsed systems in the frequency band 1025-1150 MHz. The device has gold thin-film metallization for proven highest MTTF. The transis |
|
1150PT | nELL |
Phase Control Thyristors SEMICONDUCTOR
RRooHHSS
SEMICONDUCTOR
1150PT Series RRooHHSS
www.nellsemi.com
Page 2 of 2
|
|
2SA1150 | Toshiba Semiconductor |
TRANSISTOR (LOW FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS) TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
2SA1150
2SA1150
Low Frequency Amplifier Applications
Unit: mm
• High hFE: hFE = 100~320 • Complementary to 2SC2710.
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base vo |
|
2SB1150 | NEC |
PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
|
41150 | C&D Technologies |
Toroidal Surface Mount Inductors 4100 SERIES
Toroidal Surface Mount Inductors
SELECTION GUIDE
Nominal Inductance Inductance Range DC Resistance MAX DC Current Continuous
Order Code 412R7 414R7 416R8 41100 41150 41220 41330 41470 41680 41101 41151 41221 41331
µH 2.7 4.7 6.8 10 15 22 33 47 68 100 150 220 330
|
|
A1150 | Toshiba Semiconductor |
PNP Transistor - 2SA1150 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
2SA1150
2SA1150
Low Frequency Amplifier Applications
Unit: mm
• High hFE: hFE = 100~320 • Complementary to 2SC2710.
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base vo |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |