|
TC551001BTRL-85L даташитФункция этой детали – «SilICon Gate Cmos StatIC Ram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
TC551001BTRL-85L | Toshiba Semiconductor |
SILICON GATE CMOS STATIC RAM
TOSHIBA
TC551001BPL/BFL/BFTL/BTRL-70L/85L
SILICON GATE CMOS
131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM
Description
The TC551001BPL is a 1,048,576 bits static random access memory organized as 131,072 words by 8 bits using CMOS technology, and operated from a single 5V power supply. Advanced circuit techniques provide both high speed and low power features with an operating current of 5mA/MHz (typ.) and a minimum cycle time of 70ns. When CE1 is a logical high, or CE2 is low, the device is placed in a low po |
|
TC551001BTRL-85L | Toshiba |
SILICON GATE CMOS STATIC RAM TOSHIBA
TC551001BPL/BFL/BFIL/BTRL-70L/85L/IOL
SILICON GATE CMOS
131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM
Description The TC551 001 BPL is a 1,048,576 bit CMOS static random access memory organized as 131,072 words by 8 bits and operated from a single 5V power supply. Advanced circuit techniques provide both high speed and low power features with an operating current of 5mNMHz (typ.) and a minimum cycle time of 70ns. When CE1 is a logical high, or CE2 is low, the device is placed in a low power standby mode in which the standb |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |