TB2926HQ даташит

Функция этой детали – «45w X 4-channel Btl Audio Power IC».

Показать результаты поиска

Номер в каталоге	Производители	Описание	PDF
TB2926HQ	Toshiba	45W X 4-Channel BTL Audio Power IC TB2926HQ TOSHIBA Bi-CMOS Linear Integrated Circuit Silicon Monolithic TB2926HQ 45 W × 4-ch BTL Audio Power IC The TB2926HQ is a four-channel BTL power amplifier for car audio applications. This IC has a pure complementary P-ch and N-ch DMOS output stage, offering maximum output power (POUT MAX) of 45 W. It includes a standby switch, mute function and various protection features. Features • High output power • • • • • • • • • • • POUT MAX (1) = 45 W (typ.) (VCC = 15.2 V, f

Это результат поиска, начинающийся с "2926HQ", "TB292"

Номер в каталоге	Производители	Описание	PDF
2N2926	ETC	SILICON TRANSISTORS
2N2926	SPRAGUE	(2N2xxx) NPN Transistor Free Datasheet http:/// Free Datasheet http:/// Free Datasheet http:/// Free Datasheet http:/// Free Datasheet http:///
2SC2926	ROHM Semiconductor	RF Amplifier NPN Transistor DataShee datasheet.esom datasheet.esom datasheet.esom DataSheet 4 U .com et4U.com DataShee datasheet.esom datasheet.esom datasheet.esom DataSheet 4 U .com datasheet.esom datasheet.esom datasheet.es
2SC2926S	ROHM Semiconductor	RF Amplifier NPN Transistor DataShee datasheet.esom datasheet.esom datasheet.esom DataSheet 4 U .com et4U.com DataShee datasheet.esom datasheet.esom datasheet.esom DataSheet 4 U .com datasheet.esom datasheet.esom datasheet.es
2SK2926	Hitachi Semiconductor	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 2SK2926(L), 2SK2926(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-535 1st. Edition Features • Low on-resistance R DS(on) = 0.042Ω typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching Outline DPAK–2 4 4 D 1 2 G 3 S 1 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Sou
2SK2926L	Hitachi Semiconductor	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 2SK2926(L), 2SK2926(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-535 1st. Edition Features • Low on-resistance R DS(on) = 0.042Ω typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching Outline DPAK–2 4 4 D 1 2 G 3 S 1 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Sou

[1]

Последние обновления

Номер в каталоге	Производители	Описание	PDF
2N3904	Unisonic Technologies	Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.
NE555	ST Microelectronics	Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

Index :

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com | 2020 | Контакты