![]() |
TB2926HQ даташитФункция этой детали – «45w X 4-channel Btl Audio Power IC». |
Показать результаты поиска |

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
TB2926HQ | ![]() Toshiba |
45W X 4-Channel BTL Audio Power IC TB2926HQ
TOSHIBA Bi-CMOS Linear Integrated Circuit
Silicon Monolithic
TB2926HQ
45 W × 4-ch BTL Audio Power IC
The TB2926HQ is a four-channel BTL power amplifier for car audio applications. This IC has a pure complementary P-ch and N-ch DMOS output stage, offering maximum output power (POUT MAX) of 45 W. It includes a standby switch, mute function and various protection features.
Features
• High output power • • • • • • • • • • • POUT MAX (1) = 45 W (typ.) (VCC = 15.2 V, f |
![]() |
Это результат поиска, начинающийся с "2926HQ", "TB292" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N2926 | ![]() ETC |
SILICON TRANSISTORS |
![]() |
2N2926 | ![]() SPRAGUE |
(2N2xxx) NPN Transistor Free Datasheet http:///
Free Datasheet http:///
Free Datasheet http:///
Free Datasheet http:///
Free Datasheet http:///
|
![]() |
2SC2926 | ![]() ROHM Semiconductor |
RF Amplifier NPN Transistor
DataShee
datasheet.esom
datasheet.esom
datasheet.esom DataSheet 4 U .com
et4U.com
DataShee
datasheet.esom
datasheet.esom
datasheet.esom DataSheet 4 U .com
datasheet.esom
datasheet.esom
datasheet.es |
![]() |
2SC2926S | ![]() ROHM Semiconductor |
RF Amplifier NPN Transistor
DataShee
datasheet.esom
datasheet.esom
datasheet.esom DataSheet 4 U .com
et4U.com
DataShee
datasheet.esom
datasheet.esom
datasheet.esom DataSheet 4 U .com
datasheet.esom
datasheet.esom
datasheet.es |
![]() |
2SK2926 | ![]() Hitachi Semiconductor |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 2SK2926(L), 2SK2926(S)
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
ADE-208-535 1st. Edition Features
• Low on-resistance R DS(on) = 0.042Ω typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching
Outline
DPAK–2
4
4
D 1 2 G 3
S
1 2
3
1. Gate 2. Drain 3. Sou |
![]() |
2SK2926L | ![]() Hitachi Semiconductor |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 2SK2926(L), 2SK2926(S)
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
ADE-208-535 1st. Edition Features
• Low on-resistance R DS(on) = 0.042Ω typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching
Outline
DPAK–2
4
4
D 1 2 G 3
S
1 2
3
1. Gate 2. Drain 3. Sou |
![]() |
[1]  
Последние обновления

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | ![]() Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
![]() |
NE555 | ![]() ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
![]() |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |