DataSheet26.com


TB2926CHQ даташит

Функция этой детали – «49w X 4-ch Btl Audio Power IC».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
TB2926CHQ Toshiba
Toshiba
  49W x 4-ch BTL Audio Power IC

TB2926CHQ TOSHIBA Bi-CMOS Linear Integrated Circuit Silicon Monolithic TB2926CHQ 49 W × 4-ch BTL Audio Power IC The TB2926CHQ is a four-channel BTL power amplifier for car audio applications. This IC has a pure complementary P-ch and N-ch DMOS output stage, offering maximum output power (POUT MAX) of 49 W. It includes a standby switch, mute function and various protection features. Features • High output power • POUT MAX (1) = 49 W (typ.) (VCC = 15.2 V, f = 1 kHz, JEITA max, RL = 4 Ω) Weight: 7.7 g (typ.) �
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2926CHQ", "TB2926"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N2926 ETC
ETC

SILICON TRANSISTORS

pdf
2N2926 SPRAGUE
SPRAGUE

(2N2xxx) NPN Transistor

Free Datasheet http:/// Free Datasheet http:/// Free Datasheet http:/// Free Datasheet http:/// Free Datasheet http:///
pdf
2SC2926 ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

RF Amplifier NPN Transistor

DataShee datasheet.esom datasheet.esom datasheet.esom DataSheet 4 U .com et4U.com DataShee datasheet.esom datasheet.esom datasheet.esom DataSheet 4 U .com datasheet.esom datasheet.esom datasheet.es
pdf
2SC2926S ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

RF Amplifier NPN Transistor

DataShee datasheet.esom datasheet.esom datasheet.esom DataSheet 4 U .com et4U.com DataShee datasheet.esom datasheet.esom datasheet.esom DataSheet 4 U .com datasheet.esom datasheet.esom datasheet.es
pdf
2SK2926 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK2926(L), 2SK2926(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-535 1st. Edition Features • Low on-resistance R DS(on) = 0.042Ω typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching Outline DPAK–2 4 4 D 1 2 G 3 S 1 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Sou
pdf
2SK2926L Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK2926(L), 2SK2926(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-535 1st. Edition Features • Low on-resistance R DS(on) = 0.042Ω typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching Outline DPAK–2 4 4 D 1 2 G 3 S 1 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Sou
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты