TB2922HQ даташит PDF

Это Dual Audio Power Amplifier. На странице результатов поиска TB2922HQ Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей.

Показать результаты поиска

Номер в каталоге	Производители	Описание	PDF
TB2922HQ	Toshiba Semiconductor	Dual Audio Power Amplifier TB2922HQ TOSHIBA Bi-CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic TB2922HQ Dual Audio Power Amplifier The TB2922HQ is 2ch BTL audio amplifier for TV or home audio applications. It includes and the pure complementary P-ch and N-ch DMOS output stage. The package is CPP (Compact Power Package). It is built-in standby function, muting function various kinds of protectors. Weight: 4.04 g (typ.) Features • : : : : • • • • • • • High power output POUT (1)= 22 W (typ) (VCC = 18V, RL =

Это результат поиска, начинающийся с "2922HQ", "TB292"

Номер в каталоге	Производители	Описание	PDF
2SC2922	Mospec Semiconductor	POWER TRANSISTORS(17A/180V/200W) A A A
2SC2922	Wing Shing Computer Components	Silicon Epitaxial Planar Transistor(GENERAL DESCRIPTION) 2SC2922 GENERAL DESCRIPTION Silicon Epitaxial Planar Transistor High frequency, high power transistors in a plastic envelope, primarily for use in audio and general purpose QUICK REFERENCE DATA SYMBOL MT-200 CONDITIONS VBE = 0V TYP VCBO VCEO IC ICM Ptot VCEsat VF tf PARAMET
2SC2922	Sanken electric	Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose) LAPT 2SC2922 Application : Audio and General Purpose (Ta=25°C) 2SC2922 100max 100max 180min 30min∗ 2.0max 50typ 250typ V MHz pF 20.0min 4.0max Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SA1216) sAbsolute maximum ratings (Ta=25°C) Symbol VCBO VCEO VEBO IC I
2SF292200CYY	Silan Microelectronics	ULTRAFAST RECOVERY DIODE CHIPS 2SF292200CYY 2SF292200CYY ULTRAFAST RECOVERY DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø Ø Ø Ø Ø Ø Ø Ø 2SF292200CYY is a ultrafast recovery diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ultrafast recovery times; High current capability; High surge current capability; Low f
2SF292200HYY	Silan Microelectronics	FAST RECOVERY DIODE CHIPS 2SF292200HYY 2SF292200HYY FAST RECOVERY DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø Ø Ø Ø Ø Ø Ø Ø 2SF292200HYY is a fast recovery diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; Fast recovery times; High current capability; High surge current capability; Low forward voltage
2SK2922	Hitachi Semiconductor	Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier 2SK2922 Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier ADE-208-675(Z) 1st. Edition Aug. 1998 Features • High power output, High gain, High efficiency PG = 8.0dB, Pout = 31dBm, ηD = 57 %min. (f = 836.5MHz) • Compact package capable of surface mounting Outline UPAK 3 2 1

[1]

Последние обновления

Номер в каталоге	Производители	Описание	PDF
2N3904	Unisonic Technologies	Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.
NE555	ST Microelectronics	Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

введение сайта

Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении.

Index :

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J    K    L

  M    N    O    P    Q

DataSheet26.com | 2020 | Контакты