DataSheet26.com


TB2912HQ даташит

Функция этой детали – «Maximum Power 41 W Btl X 4-ch Audio».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
TB2912HQ Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
  Maximum Power 41 W BTL x 4-ch Audio Power IC

TOSHIBA Bi-CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic TB2912HQ TB2912HQ Maximum Power 41 W BTL × 4-ch Audio Power IC The TB2912HQ is 4ch audio amplifier for car audio application. This IC can generate high power, high quality sound output, POUT MAX = 41 W, using a pure complementary P-ch and N-ch DMOS output stage. The built-in self diagnosis function which is included can be controlled via I2C BUS. In addition, stand-by and mute function, and various Protection feature are included. Features Weight: 7.7 g
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2912HQ", "TB291"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2912A Intel
Intel

PCM Transmit / Receive Filter

pdf
2SC2912 Sanyo
Sanyo

Epitaxial Planar Silicon Transistor

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manu
pdf
2SK2912 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK2912(L), 2SK2912(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-495 1st. Edition Features • Low on-resistance R DS = 15 mΩ typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source Outline LDPAK 4 4 D 1 1 G 2 3 2 3 1. Gate 2
pdf
2SK2912L Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK2912(L), 2SK2912(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-495 1st. Edition Features • Low on-resistance R DS = 15 mΩ typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source Outline LDPAK 4 4 D 1 1 G 2 3 2 3 1. Gate 2
pdf
2SK2912S Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK2912(L), 2SK2912(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-495 1st. Edition Features • Low on-resistance R DS = 15 mΩ typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source Outline LDPAK 4 4 D 1 1 G 2 3 2 3 1. Gate 2
pdf
AM27PS29125BLA Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices

16/384-BIT (2048 x 8) BIPOLAR PROM

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты