|
|
|
|
На странице результатов поиска TB25A6C Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
TB25A6C даташит PDF |
| Номер в каталоге | Описание | Производители | ||
| 1 | TB25A6C | Triac Ｔｏａｂｏ
ＴＢ２５Ａ６Ｃ
最
項
実効オン電流 サージオン電流 電流二乗時間積 ピークゲート損失 平均ゲート損失 ピークゲート電圧 ピークゲート電流 臨界オン電流上昇率 接合温度 保存温度
ＴＲＩＡＣ 株式会社 トーア紡コーポレーション
大
定
定 格
６００ ２５
格
条 件
目
記 号
VDRM IT(RMS) ITSM I2t PGM PG(AV) VGM IGM di/dt Tj Tstg
単位
V A A A2S W W V A A/μs ℃ ℃
ピーク繰り返しオフ電圧
商 |
 ETC |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "TB2" |
| Номер в каталоге | Описание | Производители | |
| TB2300M | 50A BIDIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTION DEVICE Green
TB0640M - TB3500M
50A BIDIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTION DEVICE
Features
• 50A Peak Pulse Current @ 10/1000μs • 250A Peak Pulse Current @ 8/20μs • 58 - 320V Stand-Off Voltages • Oxide-Glass Passivated Junction • Bidirectional Protection |
 Diodes |
 |
| TB2300L | (TB0640L - TB3500L) BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE TB0640L - TB3500L
30A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE Features
UNDER DEVELOPMENT
NEW PRODUCT
· · · · · ·
30A Peak Pulse Current @ 10/1000ms 150A Peak Pulse Current @ 8/20ms 58 - 320V Stand-Off Voltages Oxide-Glass Passivated Junction Bi-Di |
 Diodes Incorporated |
|
| TB2300H | (TB0640H - TB3500H) SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE |
 Lite-On |
|
| TB2300H | (TB0640H - TB3500H) BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE TB0640H - TB3500H
100A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE Features
NEW PRODUCT
· · · · · ·
100A Peak Pulse Current @ 10/1000ms 400A Peak Pulse Current @ 8/20ms 58 - 320V Stand-Off Voltages Oxide-Glass Passivated Junction Bi-Directional Protect |
Diodes Incorporated |
|
| TB2600M | 50A BIDIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTION DEVICE Green
TB0640M - TB3500M
50A BIDIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTION DEVICE
Features
• 50A Peak Pulse Current @ 10/1000μs • 250A Peak Pulse Current @ 8/20μs • 58 - 320V Stand-Off Voltages • Oxide-Glass Passivated Junction • Bidirectional Protection |
Diodes |
|
| TB2600L | (TB0640L - TB3500L) BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE TB0640L - TB3500L
30A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE Features
UNDER DEVELOPMENT
NEW PRODUCT
· · · · · ·
30A Peak Pulse Current @ 10/1000ms 150A Peak Pulse Current @ 8/20ms 58 - 320V Stand-Off Voltages Oxide-Glass Passivated Junction Bi-Di |
Diodes Incorporated |
|
| TB2110FN | PLL For DTS PLL For DTS
TOSHIBA Bi−CMOS Integrated Circuit Silicon Monolithic
TB2110FN
TB2110FN
The TB2110FN is a high−speed PLL LSI built in a 2 modulus prescaler that can operate with a 1.5V power supply. Each function is controlled via three serial bus lines, allowing you to config |
 Toshiba |
|
| TB2104F | VFD DRIVER VFD Driver
TOSHIBA Bi−CMOS Integrated Circuit Silicon Monolithic
TB2104F
TB2104F
The TB2104F is a VFD (fluorescent display tube) driver IC implemented by the Bi−CMOS process. The logic section is configured with CMOS transistors, and the high voltage tolerant output driver |
Toshiba |
|
| TB28F008SA-100 | 8-MBIT (1-MBIT x 8) FlashFile MEMORY 28F008SA 8-MBIT (1-MBIT x 8) FlashFileTM MEMORY
Extended Temperature Specifications Included
Y High-Density Symmetrically-Blocked Architecture Sixteen 64-Kbyte Blocks
Y Extended Cycling Capability 100 000 Block Erase Cycles 1 6 Million Block Erase Cycles per Chip
Y Automated Byt |
 Intel |
|
| TB2600H | (TB0640H - TB3500H) BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE TB0640H - TB3500H
100A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE Features
NEW PRODUCT
· · · · · ·
100A Peak Pulse Current @ 10/1000ms 400A Peak Pulse Current @ 8/20ms 58 - 320V Stand-Off Voltages Oxide-Glass Passivated Junction Bi-Directional Protect |
Diodes Incorporated |
|
Ссылка Поделиться :
Последние обновления
| Номер в каталоге | Описание | Производители | |
| 2N3904 | Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
 Unisonic Technologies |
|
| NE555 | Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
 ST Microelectronics |
|
|
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |