|
SVF2N60F даташитФункция этой детали – «600v N-channel Mosfet». |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| SVF2N60F |  SL |
600V N-CHANNEL MOSFET SVF2N60M/F/T/D_Datasheet
2A, 600V N-CHANNEL MOSFET
GENERAL DESCRIPTION
SVF2N60M/F/T/D is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-cell
TM
structure DMOS technology. The improved
planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are widely used in AC-DC power sup |
 |
| SVF2N60FG | SL |
600V N-CHANNEL MOSFET SVF2N60M/MG/MJ/N/NF/F/FG/T/D_Datasheet
2A, 600V N-CHANNEL MOSFET
GENERAL DESCRIPTION
SVF2N60M/MG/MJ/N/NF/F/FG/T/D is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize onstate resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are widel |
|
[1]
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
 |
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |