DataSheet26.com


SVF2N60F даташит

Функция этой детали – «600v N-channel Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
SVF2N60F SL
SL
  600V N-CHANNEL MOSFET

SVF2N60M/F/T/D_Datasheet 2A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF2N60M/F/T/D is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-cell TM structure DMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are widely used in AC-DC power sup
pdf
SVF2N60FG SL
SL
  600V N-CHANNEL MOSFET

SVF2N60M/MG/MJ/N/NF/F/FG/T/D_Datasheet 2A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF2N60M/MG/MJ/N/NF/F/FG/T/D is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize onstate resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are widel
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты