|
STW45NM50 даташитФункция этой детали – «N-channel Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
STW45NM50 | ST Microelectronics |
N-CHANNEL MOSFET
N-CHANNEL 500V - 0.07Ω - 45A TO-247 MDmesh™ Power MOSFET
PRELIMINARY DATA TYPE STW45NM50
s s s s
STW45NM50
VDSS 500V
RDS(on) <0.09Ω
ID 45 A
s s
TYPICAL RDS(on) = 0.07Ω HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES 100% AVALANCHE TESTED LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE CHARGE LOW GATE INPUT RESISTANCE TIGHT PROCESS CONTROL AND HIGH MANUFACTURING YIELDS
3 2 1
TO-247
DESCRIPTION The MDmesh ™ is a new revolutionary MOSFET technology that associates the Multiple Drain process with the Company� |
|
STW45NM50FD | ST Microelectronics |
N-CHANNEL MOSFET STW45NM50FD
N-channel 500 V, 0.07 Ω, 45 A, TO-247 FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode)
Features
Type STW45NM50FD
VDSS 500 V
RDS(on) max
< 0.1 Ω
ID 45 A
■ 100% avalanche tested ■ High dv/dt and avalanche capabilities ■ Low input capacitance and gate charge ■ Low gate input resistance
Application
■ Switching applications
Description
The FDmesh™ associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. It is therefore strongly recommended |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |