DataSheet26.com


STW45NM50 даташит

Функция этой детали – «N-channel Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
STW45NM50 ST Microelectronics
ST Microelectronics
  N-CHANNEL MOSFET

N-CHANNEL 500V - 0.07Ω - 45A TO-247 MDmesh™ Power MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE STW45NM50 s s s s STW45NM50 VDSS 500V RDS(on) <0.09Ω ID 45 A s s TYPICAL RDS(on) = 0.07Ω HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES 100% AVALANCHE TESTED LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE CHARGE LOW GATE INPUT RESISTANCE TIGHT PROCESS CONTROL AND HIGH MANUFACTURING YIELDS 3 2 1 TO-247 DESCRIPTION The MDmesh ™ is a new revolutionary MOSFET technology that associates the Multiple Drain process with the Company�
pdf
STW45NM50FD ST Microelectronics
ST Microelectronics
  N-CHANNEL MOSFET

STW45NM50FD N-channel 500 V, 0.07 Ω, 45 A, TO-247 FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode) Features Type STW45NM50FD VDSS 500 V RDS(on) max < 0.1 Ω ID 45 A ■ 100% avalanche tested ■ High dv/dt and avalanche capabilities ■ Low input capacitance and gate charge ■ Low gate input resistance Application ■ Switching applications Description The FDmesh™ associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. It is therefore strongly recommended
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты