DataSheet26.com


STP80NF55-06FP даташит

Функция этой детали – «N - Channel Power Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
STP80NF55-06FP ST Microelectronics
ST Microelectronics
  N - CHANNEL POWER MOSFET

® STP80NF55-06 STP80NF55-06FP N - CHANNEL 55V - 0.005Ω - 80A TO-220/TO-220FP STripFET™ POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE STP80NF55-06 STP80NF55-06FP s s s s V DSS 55 V 55 V R DS(on) < 0.0065 Ω < 0.0065 Ω ID 80 A 60 A TYPICAL RDS(on) = 0.005 Ω EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION 3 1 2 3 1 2 DESCRIPTION This Power Mosfet is the latest development of STMicroelectronics unique ”Single Feature Size™ ” strip-based process. The resulting transistor s
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "80NF55", "STP80NF55-0"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
80NF55-06 STMicroelectronics
STMicroelectronics

STB80NF55-06

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005Ω - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET™ II Power MOSFET General features Type STB80NF55-06 STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 STP80NF55-06FP 1. Limited by package ■ ■ ■ VDSS 55V 55V 55V 55
pdf
B80NF55L-08 STMicroelectronics
STMicroelectronics

STB80NF55L-08

STP80NF55L-08 STB80NF55L-08 N-CHANNEL 55V - 0.0065Ω - 80A - TO-220/D2PAK STripFET™ II POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) STP80NF55L-08 STB80NF55L-08 55 V 55 V 0.008Ω 0.008Ω s TYPICAL RDS(on) = 0.0065Ω s LOW THRESHOLD DRIVE s LOGI
pdf
P80NF55 ST Microelectronics
ST Microelectronics

STP80NF55

® STP80NF55L-06 N - CHANNEL 55V - 0.005 Ω - 80A TO-220 STripFET™ POWER MOSFET TYPE STP80NF55L-06 s s s V DSS 55 V R DS( on ) < 0.0065 Ω ID 80 A TYPICAL RDS(on) = 0.005 Ω LOW THRESHOLD DRIVE LOGIC LEVEL DEVICE DESCRIPTION This Power MOSFET is t
pdf
P80NF55-08 STMicroelectronics
STMicroelectronics

STP80NF55-08

N-CHANNEL 55V - 0.0065 Ω - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET™ II POWER MOSFET TYPE STB80NF55-08/-1 STP80NF55-08 s s STP80NF55-08 STB80NF55-08 STB80NF55-08-1 VDSS 55 V 55 V RDS(on) <0.008 Ω <0.008 Ω ID 80 A 80 A 3 1 TYPICAL RDS(on) = 0.0065Ω LOW TH
pdf
STB80NF55-06 ST Microelectronics
ST Microelectronics

N-CHANNEL POWER MOSFET

® STB80NF55-06 N - CHANNEL 55V - 0.005Ω - 80A TO-262/TO-263 STripFET™ POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE STB80NF55-06 s s s s V DSS 55 V R DS( on) < 0.0065 Ω ID 80 A s s TYPICAL RDS(on) = 0.005 Ω EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TE
pdf
STB80NF55-06-1 STMicroelectronics
STMicroelectronics

N-CHANNEL POWER MOSFET

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005Ω - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET™ II Power MOSFET General features Type STB80NF55-06 STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 STP80NF55-06FP 1. Limited by package ■ ■ ■ VDSS 55V 55V 55V 55
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты