DataSheet26.com


STP2HNC60FP даташит

Функция этой детали – «N-channel Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
STP2HNC60FP STMicroelectronics
STMicroelectronics
  N-CHANNEL MOSFET

N-CHANNEL 600V - 4Ω - 2.2A TO-220/TO-220FP PowerMesh™II MOSFET TYPE STP2HNC60 STP2HNC60FP s s s s s STP2HNC60 STP2HNC60FP VDSS 600 V 600 V RDS(on) <5Ω <5Ω ID 2.2 A 2.2 A TYPICAL RDS(on) = 4 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK GATE CHARGE MINIMIZED TO-220 3 1 2 1 2 3 DESCRIPTION The PowerMESH™II is the evolution of the first generation of MESH OVERLAY™. The layout refinements introduced greatly improve the Ron*area figure of merit while keeping the devi
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2HNC60FP", "STP2HNC6"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
12-PMB-260-DC-E api
api

Power Line Filters

Power Line Filters DC - Higher Current 12-PMF & 12 PMB DC Series Features I Space-saving, compact designs I Suitable for products that must conform to FCC regulations I Excellent attenuation for high voltage impulse I Metal case provides effective shielding I Excellent filterin
pdf
1260PT nELL
nELL

Phase Control Thyristors

SEMICONDUCTOR RRooHHSS SEMICONDUCTOR 1260PT Series RRooHHSS www.nellsemi.com Page 2 of 2
pdf
1422604 C&D Technologies
C&D Technologies

Bobbin Type Inductors

pdf
1422604 C&D Technologies
C&D Technologies

Bobbin Type Inductors

pdf
1422604C Murata
Murata

Bobbin Type Inductors

www.murata-ps.com 1400 Series Bobbin Type Inductors FEATURES n RoHS compliant n Radial format n -40°C to 85°C operating temperature n Up to 13A IDC n 10μH to 22mH n Low DC resistance n Fully tinned leads n PCB mounting hole n Low temperature dependence n Backward compatible
pdf
15KP260 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

TRANSIENT ABSORPTION ZENER

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты