|
STL26NM60N даташитФункция этой детали – «N-channel Power Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
STL26NM60N | STMicroelectronics |
N-channel Power MOSFET www.DataSheet.co.kr
STL26NM60N
N-channel 600 V, 0.160 Ω , 19 A PowerFLAT™ 8x8 HV ultra low gate charge MDmesh™ II Power MOSFET
Features
Order code STL26NM60N VDSS @ TJmax 650 V RDS(on) max < 0.185 Ω ID 19 A (1)
' $ 3 3 3
"OTTOM VIEW
1. The value is rated according to Rthj-case ■ ■ ■
100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance
0OWER&,!4 X (6
Applications
■
Switching applications Figure 1. Internal schematic diagram
Description
This device is |
Это результат поиска, начинающийся с "26NM60N", "STL26NM" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
26NM60N | STMicroelectronics |
STL26NM60N STL26NM60N
N-channel 600 V, 0.160 Ω , 19 A PowerFLAT™ 8x8 HV ultra low gate charge MDmesh™ II Power MOSFET
Features
Order code STL26NM60N VDSS @ TJmax 650 V RDS(on) max < 0.185 Ω ID 19 A (1)
' $ 3 3 3
"OTTOM VIEW
1. The value is rated according to Rthj-case |
|
STB26NM60N | STMicroelectronics |
N-channel Power MOSFET STB26NM60N, STF26NM60, STI26NM60N, STP26NM60N, STW26NM60N
N-channel 600 V, 0.135 Ω , 20 A MDmesh™ II Power MOSFET 2 2 in D PAK, I PAK, TO-220, TO-220FP and TO-247 packages
Datasheet — production data
Features
Type STB26NM60N STF26NM60N STI26NM60N STP26NM60N STW26NM60N
■ |
|
STF26NM60N-H | STMicroelectronics |
N-channel MOSFET STF26NM60N-H
N-channel 600 V, 0.135 Ω , 20 A MDmesh™ II Power MOSFET in TO-220FP
Features
Type STF26NM60N-H
■ ■ ■
VDSS 600 V
RDS(on) max < 0.165 Ω
ID 20 A
100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance
1 3 2
Application
■
|
|
STFI26NM60N | STMicroelectronics |
N-channel Power MOSFET STFI26NM60N
N-channel 600 V, 0.135 Ω, 20 A MDmesh™ II Power MOSFET in I²PAKFP package
Datasheet — production data
Features
Type STFI26NM60N
VDSS 600 V
RDS(on) max
< 0.165 Ω
ID 20 A
■ Fully insulated and low profile package with increased creepage path from pin to h |
|
STI26NM60N | STMicroelectronics |
N-channel Power MOSFET STB26NM60N, STF26NM60, STI26NM60N, STP26NM60N, STW26NM60N
N-channel 600 V, 0.135 Ω , 20 A MDmesh™ II Power MOSFET 2 2 in D PAK, I PAK, TO-220, TO-220FP and TO-247 packages
Datasheet — production data
Features
Type STB26NM60N STF26NM60N STI26NM60N STP26NM60N STW26NM60N
■ |
|
STP26NM60N | STMicroelectronics |
N-channel Power MOSFET STB26NM60N, STF26NM60, STI26NM60N, STP26NM60N, STW26NM60N
N-channel 600 V, 0.135 Ω , 20 A MDmesh™ II Power MOSFET 2 2 in D PAK, I PAK, TO-220, TO-220FP and TO-247 packages
Datasheet — production data
Features
Type STB26NM60N STF26NM60N STI26NM60N STP26NM60N STW26NM60N
■ |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |