DataSheet26.com


STK5333 даташит

Функция этой детали – «Stk5333».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
STK5333 ETC
ETC
  STK5333

Układy hybrydowe stosowane w zasilaczach 153 Rys. 64, Struktura wewnętrzna układu STK 5333 Do podstawowych parametrów układu STK 5333 należą: • Maksymalne napięcia zasilania U = 30 Vf • Napięcie wyjściowe U2 = 12 V przy maksymalnym prądzie 1 A, • Napięcie wyjściowe U3= 5 V przy maksymalnym prądzie 1 A, • Napięcie wyjściowe U6= 15 V przy maksymalnym prądzie 0,5 A. Rys. 65. Struk tu ra zo e w n ętrzna u kładu STK 5342 Do podstawowych parametrów układu STK 5342 należą: • Maksymaln
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "5333", "STK5"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1N5333 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

SILICON 5 WATT ZENER DIODES

pdf
1N5333 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode Zener Single 3.3V 20% 5W 2-Pin Case T-18

pdf
1N5333A EIC discrete Semiconductors
EIC discrete Semiconductors

SILICON ZENER DIODES

1N5333A - 1N5388A VZ : 3.3 - 200 Volts PD : 5 Watts FEATURES : * Complete Voltage Range 3.3 to 200 Volts * High peak reverse power dissipation * High reliability * Low leakage current SILICON ZENER DIODES D2A 0.161 (4.1) 0.154 (3.9) 1.00 (25.4) MIN. 0.284 (7.2) 0.268 (6.8) M
pdf
1N5333A New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode Zener Single 3.3V 10% 5W 2-Pin Case T-18

pdf
1N5333B Motorola  Inc
Motorola Inc

5 WATT ZENER REGULATOR DIODES 3.3-200 VOLTS

MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA 5 Watt Surmetic 40 Silicon Zener Diodes This is a complete series of 5 Watt Zener Diodes with tight limits and better operating characteristics that reflect the superior capabilities of silicon-oxide-passivated junctions. All this is in an
pdf
1N5333B Boca Semiconductor Corporation
Boca Semiconductor Corporation

5 Watt Surmetic 40 Silicon Zener Diodes

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты