|
|
|
|
На странице результатов поиска STK5333 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
STK5333 даташит PDF |
| Номер в каталоге | Описание | Производители | ||
| 1 | STK5333 | STK5333 Układy hybrydowe stosowane w zasilaczach
153
Rys. 64, Struktura
wewnętrzna
układu
STK 5333
Do podstawowych parametrów układu STK 5333 należą: • Maksymalne napięcia zasilania U = 30 Vf • Napięcie wyjściowe U2 = 12 V przy maksymalnym prądzie 1 A, • Napięcie wyjściowe U3= 5 V przy maksymalnym prądzie 1 A, • Napięcie wyjściowe U6= 15 V przy maksymalnym prądzie 0,5 A.
Rys. 65. Struk tu ra zo e w n ętrzna
u kładu
STK 5342
Do podstawowych parametrów układu STK 5342 należą: • Maksymaln |
 ETC |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "STK" |
| Номер в каталоге | Описание | Производители | |
| STK004SF | Advanced N-Ch Trench MOSFET STK004SF
Advanced N-Ch Trench MOSFET
PORTABLE EQUIPMENT APPLICATION
Features
Low Voltage : BVDSS=20V(Min.)
Low VGS(th) : VGS(th)=0.6~1.2V Small footprint due to small package Low RDS(on) : RDS(on)=40mΩ(Max.)
Ordering Information
Type No.
Marking
STK004SF
K |
 AUK |
 |
| STK0160F | Advanced Power MOSFET
Semiconductor
STK0160F
Advanced Power MOSFET
SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features
• • • • High Voltage: BVDSS=600V(Min.) Low Crss : Crss=4.3pF(Typ.) Low gate charge : Qg=4.5nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=9.4Ω(Max.)
Type NO. STK0160F Marking ST |
AUK |
|
| STK0602U | N-Channel Enhancement Mode MOSFET STK0602U
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
High Speed Switching Application
Features
Low On-Resistance
Low Threshold: Typ. 1.3V Low Input Capacitance: 26pF
Fast Swtiching Speed
ESD Protected
Applications
Ultra high speed switching application
SOT-323
|
 KODENSHI KOREA |
|
| STK075G | (STKxxxG) THICK FILM HYBRID IC Features I O IMST,1 Channel by 2 PowerSupplies. r AF output power STK-075G:15W min., STK0 7 7 G : 2 0 W m i n . ,S T K - 0 7 8 G2 : 4 W m i n . ,S T K 080G: 30W min., STK-082G:35W min., STK083G: 40W mih. MAXIMUM RATINGSI Ta=25" C
r r
Low distortion. Stable evenat hightemperatur |
ETC |
|
| STK083G | (STKxxxG) THICK FILM HYBRID IC Features I O IMST,1 Channel by 2 PowerSupplies. r AF output power STK-075G:15W min., STK0 7 7 G : 2 0 W m i n . ,S T K - 0 7 8 G2 : 4 W m i n . ,S T K 080G: 30W min., STK-082G:35W min., STK083G: 40W mih. MAXIMUM RATINGSI Ta=25" C
r r
Low distortion. Stable evenat hightemperatur |
ETC |
|
| STK11C68 | 64-Kbit (8 K x 8) SoftStore nvSRAM Not recommended for new designs. In production to support ongoing production programs only.
STK11C68
64-Kbit (8 K × 8) SoftStore nvSRAM
Features
■ 25 ns, 35 ns, and 45 ns access times ■ Pin compatible with industry standard SRAMs ■ Software initiated nonvolatile STORE |
 Cypress Semiconductor |
|
| STK11C68-M | CMOS NV SRAM |
 Simtek |
|
| STK11C88 | 256 Kbit (32 K x 8) SoftStore nvSRAM Not recommended for new designs. In production to support ongoing production programs only.
STK11C88
256 Kbit (32 K x 8) SoftStore nvSRAM
Features
■ 25 ns and 45 ns Access Times ■ Pin Compatible with Industry Standard SRAMs ■ Software initiated STORE and RECALL ■ Automa |
Cypress Semiconductor |
|
| STK14C88-3 | 32Kx8 AutoStore nvSRAM
32Kx8 AutoStore nvSRAM FEATURES
• 35, 45 ns Read Access & R/W Cycle Time • Unlimited Read/Write Endurance • Automatic Non-volatile STORE on Power Loss • Non-Volatile STORE Under Hardware or Software Control • Automatic RECALL to SRAM on Power Up |
Simtek |
|
| STK14D88 | 32Kx8 Autostore nvSRAM
32Kx8 Autostore nvSRAM
FEATURES
• 25, 35, 45 ns Read Access & R/W Cycle Time • Unlimited Read/Write Endurance • Automatic Non-volatile STORE on Power Loss • Non-Volatile STORE Under Hardware or Software Control • Automatic RECALL to SRAM on Power Up |
Simtek |
|
Ссылка Поделиться :
Последние обновления
| Номер в каталоге | Описание | Производители | |
| 2N3904 | Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
 Unisonic Technologies |
|
| NE555 | Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
 ST Microelectronics |
|
|
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |