|
STK4221II даташит PDFЭто Af Power Amplifier. На странице результатов поиска STK4221II Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| STK4221II |  Sanyo |
AF Power Amplifier Ordering number: EN4611A
Thick Film Hybrid IC
STK4221II AF Power Amplifier (Split Power Supply) (80W + 80W min, THD = 0.4%)
Features
• Built-in muting circuit to cut off various kinds of pop noise • Current mirror circuit application reduces distortion to 0.4% (THD) • The STK4201II series (THD=0.4%), STK4201V series (THD=0.08%), and STK4141X series (THD=0.02%) are pin-compatible.
Package Dimensions
unit: mm
4086A
[STK4221II]
Specifications
Maximum Ratings at Ta = 25°C
Parameter Maximum supply voltage Therm |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "4221II", "STK422" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 24221 |  C&DTechnologies |
BobbinWoundSurfaceMountInductors |
 |
| 2N4221 |  InterFET Corporation |
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor B-10
01/99
2N4220, 2N4220A, 2N4221, 2N4221A, 2N4222, 2N4222A
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
¥ ¥ ¥ ¥ Mixers Oscillators VHF Amplifiers Small Signal Amplifiers
Absolute maximum ratings at TA = 25¡C
Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage Continu |
|
| 2N4221 |  American Microsemiconductor |
Diode ( Rectifier ) |
|
| 2N4221 |  Solitron Devices |
(2N4xxx) Low Power Field Effect Transistors w
w
a D . w
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
w
w
w
t a .D
S a
e h
U 4 t e
.c
m o
w
w
w
.D
a
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
|
|
| 2N4221 |  New Jersey Semiconductor |
Trans JFET N-CH Si 4-Pin TO-72 |
|
| 2N4221 |  Calogic |
N-Channel JFET General Purpose Amplifier/Switch |
|
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
введение сайта
|
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |